Документация
Транзистор IKW40N60H3FKSA1
У поставщика
У поставщиков
668 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:668 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 236,35 |
| от 18 | 223,38 |
| от 30 | 213,08 |
| от 90 | 204,03 |
| от 150 | 197,92 |
Описание
Транзистор IGBT от Infineon серии TrenchStop. Рассчитан на напряжение 600 В и ток до 40 А. Отличается низким напряжением насыщения и высокой скоростью переключения. Применяется в силовых блоках промышленной автоматики, сварочных инверторах и частотных преобразователях.
Технические характеристики
| Тип | биполярные с изолированным затвором |
| Маркировка | K40H603 |
| Корпус | PG-TO-247-3 |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | Выводной |
| Технология | Trench and Fieldstop |
| Описание | 600V DuoPack IGBT and Diode, High speed switching series third generation |
| Gate charge | 223nC |
| Артикул | IKW40N60H3FKSA1 |
| Fall time 25c | 29ns |
| Rise time 25c | 31ns |
| Fall time 175c | 29ns |
| Rise time 175c | 29ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 0.6Nm |
| Transconductance | 24S |
| Вх. емкость | 2190pF |
| Рассеиваемая мощность | 306W |
| Выходная емкость | 112pF |
| Turn on energy 25c | 1.10mJ |
| Темп. хранения | -55...+150°C |
| Turn off energy 25c | 0.58mJ |
| Turn on energy 175c | 1.33mJ |
| Diode pulsed current | 160A |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Turn off energy 175c | 0.79mJ |
| Diode forward current | 40A |
| Напр. диода | 1.65V |
| Ток КЗ | 235A |
| Температура пайки | 260°C |
| Turn on delay time 25c | 17ns |
| Turn off delay time 25c | 193ns |
| Turn on delay time 175c | 22ns |
| Collector current pulsed | 160A |
| Turn off delay time 175c | 227ns |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600V |
| Total switching energy 25c | 1.68mJ |
| Internal emitter inductance | 13nH |
| Total switching energy 175c | 2.12mJ |
| Непрерывный ток коллектора | 40A |
| Gate emitter leakage current | 100nA |
| Обратная проходная емкость | 64pF |
| Short circuit withstand time | 5µs |
| Gate emitter threshold voltage | 5.1V |
| Рабочая температура перехода | -40...+175°C |
| Diode reverse recovery time 25c | 146ns |
| Diode reverse recovery time 175c | 150ns |
| Diode reverse recovery charge 25c | 0.38µC |
| Diode reverse recovery charge 175c | 0.97µC |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 600V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40K/W |
| Zero gate voltage collector current | 0.04mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95V |
| Thermal resistance igbt junction case | 0.49K/W |
| Thermal resistance diode junction case | 1.50K/W |
| Diode peak reverse recovery current 25c | 13A |
| Diode reverse recovery current rate 25c | 332A/µs |
| Diode peak reverse recovery current 175c | 18A |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 40 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?