Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
199 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:199 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 420,46 |
| от 12 | 399,06 |
| от 23 | 382,08 |
| от 60 | 367,15 |
| от 90 | 357,05 |
Описание
IGBT-транзистор IKW40N120T2FKSA1 производства Infineon Technologies — мощный силовой ключ в корпусе TO-247-3. Компонент рассчитан на напряжение 1200 В и ток 75 А, что позволяет использовать его в инверторах, сварочном оборудовании и промышленных приводах. Отличается низким напряжением насыщения и высокой коммутационной надёжностью.
Технические характеристики
| Тип | IGBT |
| Ток, А | 40 А |
| Корпус | PG-TO-247-3 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Технология | TRENCHSTOP 2nd Generation |
| Voltage ce | 1200V |
| Gate charge | 192nC |
| Current pulsed | 160A |
| Рассеиваемая мощность | 480W |
| Напряжение, В | 1200 В |
| Capacitance input ciss | 2360pF |
| Capacitance output coss | 230pF |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 6.4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 5.2V |
| Тип. пороговое Uзи | 5.8V |
| Internal emitter inductance | 13nH |
| Switching fall time typ 25c | 94ns |
| Switching rise time typ 25c | 28ns |
| Current dc max case temp 25c | 75A |
| Short circuit withstand time | 10µs |
| Switching fall time typ 175c | 195ns |
| Switching rise time typ 175c | 28ns |
| Current dc max case temp 110c | 40A |
| Forward diode voltage max 25c | 2.2V |
| Forward diode voltage typ 25c | 1.75V |
| Forward diode voltage typ 150c | 1.80V |
| Forward diode voltage typ 175c | 1.80V |
| Switching total energy typ 25c | 5.25mJ |
| Switching total energy typ 175c | 8.3mJ |
| Switching turn on energy typ 25c | 3.2mJ |
| Capacitance reverse transfer crss | 125pF |
| Switching turn off energy typ 25c | 2.05mJ |
| Switching turn on energy typ 175c | 4.5mJ |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -40°C |
| Switching turn off energy typ 175c | 3.8mJ |
| Diode reverse recovery time typ 25c | 285ns |
| Short circuit collector current 25c | 220A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40K/W |
| Diode reverse recovery time typ 175c | 480ns |
| Short circuit collector current 175c | 156A |
| Switching turn on delay time typ 25c | 33ns |
| Diode reverse recovery charge typ 25c | 3.3µC |
| Switching turn off delay time typ 25c | 314ns |
| Switching turn on delay time typ 175c | 32ns |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.31K/W |
| Diode reverse recovery charge typ 175c | 6.6µC |
| Switching turn off delay time typ 175c | 405ns |
| Thermal resistance junction case diode | 0.53K/W |
| Diode peak reverse recovery current typ 25c | 23A |
| Collector emitter saturation voltage max 25c | 2.2V |
| Collector emitter saturation voltage typ 25c | 1.75V |
| Diode peak reverse recovery current typ 175c | 31A |
| Collector emitter saturation voltage typ 150c | 2.25V |
| Collector emitter saturation voltage typ 175c | 2.3V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?