Документация
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 500 Вт
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
601 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:601 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 386,26 |
| от 30 | 368,02 |
| от 60 | 355,82 |
| от 120 | 345,09 |
| от 210 | 337,84 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от Infineon рассчитан на напряжение 1200 В и ток до 80 А при мощности 500 Вт. Выполнен в корпусе TO-247. Подходит для мощных преобразователей и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Серия | TRENCHSTOP IGBT 6 |
| Маркировка | K40MCS6 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Технология | Trench and Fieldstop |
| Описание | Sixth-generation high-speed soft switching TRENCHSTOP IGBT 6 in Trench and Fieldstop technology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diode |
| Gate charge | 285.0nC |
| Артикул | IKW40N120CS6 |
| Производитель | Infineon |
| Fall time 25c | 27ns |
| Rise time 25c | 39ns |
| Дата даташита | 2018-05-07 |
| Fall time 175c | 27ns |
| Rise time 175c | 39ns |
| Момент затяжки | 0.6Nm |
| Transconductance | 32.0S |
| Datasheet version | V2.1 |
| Вх. емкость | 2700pF |
| Выходная емкость | 185pF |
| Product validation | JEDEC47/20/22 |
| Short circuit time | 3µs |
| Turn on energy 25c | 2.55mJ |
| Темп. хранения | -55...+150°C |
| Turn off energy 25c | 1.55mJ |
| Turn on energy 175c | 5.85mJ |
| Diode pulsed current | 160A |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Turn off energy 175c | 2.60mJ |
| Температура пайки | 260°C |
| Power dissipation tc25 | 500W |
| Turn on delay time 25c | 27ns |
| Power dissipation tc100 | 250W |
| Turn off delay time 25c | 315ns |
| Turn on delay time 175c | 35ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Collector pulsed current | 160A |
| Turn off delay time 175c | 325ns |
| Collector current dc tc25 | 80A |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Diode forward voltage 25c | 2.20V |
| Collector current dc tc100 | 40A |
| Diode forward voltage 175c | 2.25V |
| Total switching energy 25c | 4.10mJ |
| Gate emitter voltage pulsed | ±25V |
| Internal emitter inductance | 13.0nH |
| Total switching energy 175c | 6.45mJ |
| Gate emitter leakage current | 600nA |
| Обратная проходная емкость | 120pF |
| Описание (англ.) | IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
| Diode forward current dc tc25 | 80A |
| Diode forward current dc tc100 | 40A |
| Рабочая температура перехода | -40...+175°C |
| Diode reverse recovery time 25c | 260ns |
| Diode reverse recovery time 175c | 260ns |
| Diode reverse recovery charge 25c | 4.8µC |
| Diode reverse recovery charge 175c | 4.8µC |
| Diode reverse recovery current 25c | 26A |
| Gate emitter threshold voltage max | 6.3V |
| Gate emitter threshold voltage min | 5.1V |
| Gate emitter threshold voltage typ | 5.7V |
| Diode reverse recovery current 175c | 26A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40K/W |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.30K/W |
| Thermal resistance junction case diode | 0.78K/W |
| Diode peak reverse recovery current 25c | 26A |
| Zero gate voltage collector current 25c | 850µA |
| Collector emitter saturation voltage 25c | 1.85V |
| Diode peak reverse recovery current 175c | 26A |
| Zero gate voltage collector current 175c | 1600µA |
| Collector emitter saturation voltage 125c | 2.15V |
| Collector emitter saturation voltage 175c | 2.25V |
| Напряжение, В | 1200 |
| Ток, А | 40 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?