Документация
Транзистор IKW30N60TFKSA1
У поставщика
У поставщиков
267 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:267 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 245,50 |
| от 11 | 230,29 |
| от 21 | 217,88 |
| от 60 | 208,64 |
| от 90 | 201,78 |
Описание
Транзистор IGBT от Infineon с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током 30 А. Выполнен в корпусе TO-247, отличается низким напряжением насыщения и высокой скоростью переключения. Подходит для импульсных источников питания, сварочного оборудования и силовой промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | биполярные с изолированным затвором |
| Tsc | 5µs |
| RoHS | Соответствует |
| RthJA | 40 K/W |
| Tsold | 260°C |
| Le typ | 13nH |
| Тип. заряд затвора | 167nC |
| Серия | TRENCHSTOP |
| Макс. Tj | 175°C |
| Tj мин. | -40°C |
| Gfs тип. | 16.7S |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Vce max | 600V |
| Vge max | ±20V |
| Тип. Ciss | 1630pF |
| Coss тип. | 108pF |
| Тип. Crss | 50pF |
| Icsc typ | 275A |
| Iges max | 100nA |
| Тип монтажа | Выводной |
| Ptot 25c | 187W |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| Ic dc 25c | 45A |
| Ic pulsed | 90A |
| If dc 25c | 45A |
| If pulsed | 90A |
| Без свинца | Да |
| Ic dc 100c | 39A |
| If dc 100c | 39A |
| Rthjc igbt | 0.80 K/W |
| Tf typ 25c | 46ns |
| Tr typ 25c | 21ns |
| Vf max 25c | 2.05V |
| Vf typ 25c | 1.65V |
| Vge th max | 5.7V |
| Vge th min | 4.1V |
| Vge th typ | 4.9V |
| Описание | Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode |
| Eon typ 25c | 0.69mJ |
| Ets typ 25c | 1.46mJ |
| Артикул | IKW30N60T |
| Qrr typ 25c | 0.92µC |
| Rthjc diode | 1.05 K/W |
| Tf typ 175c | 90ns |
| Tr typ 175c | 26ns |
| Trr typ 25c | 143ns |
| Vbr ces min | 600V |
| Vf typ 175c | 1.6V |
| Dirr typ 25c | 603A/µs |
| Eoff typ 25c | 0.77mJ |
| Eon typ 175c | 1.0mJ |
| Ets typ 175c | 2.1mJ |
| Ices max 25c | 40µA |
| Irrm typ 25c | 16.3A |
| Qrr typ 175c | 2.39µC |
| Trr typ 175c | 225ns |
| Dirr typ 175c | 310A/µs |
| Eoff typ 175c | 1.1mJ |
| Ices max 175c | 2000µA |
| Irrm typ 175c | 22.3A |
| Квалификация | JEDEC |
| Td on typ 25c | 23ns |
| Td off typ 25c | 254ns |
| Td on typ 175c | 24ns |
| Td off typ 175c | 292ns |
| Vce sat max 25c | 2.05V |
| Vce sat typ 25c | 1.5V |
| Vce sat typ 175c | 1.9V |
| Ic test conditions | Vge=15V, Ic=30A |
| Vf test conditions | Vge=0V, If=30A |
| Diode test conditions | Vr=400V, If=30A, dif/dt=910A/µs |
| Short circuit conditions | Vge=15V, Vcc≤400V, Tj≤150°C |
| Switching test conditions | Vcc=400V, Ic=30A, Vge=0/15V, Rg=10.6Ω, Lσ=136nH, Cσ=39pF |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 30 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?