Документация
Транзистор IKW30N60H3FKSA1
У поставщика
У поставщиков
526 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:526 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 217,36 |
| от 12 | 203,73 |
| от 23 | 192,63 |
| от 60 | 184,36 |
| от 90 | 178,20 |
Описание
Транзистор IKW30N60H3FKSA1 от Infineon — это мощный IGBT с напряжением 600 В и током 30 А. Корпус TO-247 обеспечивает эффективный отвод тепла при работе на высоких частотах. Подходит для импульсных источников питания, сварочного оборудования и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | биполярные с изолированным затвором |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Тип монтажа | THT |
| Gate charge typ | 165nC |
| Fall time typ 25C | 32ns |
| Rise time typ 25C | 13ns |
| Fall time typ 175C | 39ns |
| Rise time typ 175C | 30ns |
| Макс. момент затяжки | 0.6Nm |
| Current diode dc max | 15A |
| Transconductance typ | 16S |
| Тип. входная емкость | 1630pF |
| Выходная емкость тип. | 107pF |
| Turn on energy typ 25C | 0.94mJ |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Turn off energy typ 25C | 0.44mJ |
| Turn on energy typ 175C | 1.12mJ |
| Current collector dc max | 30A |
| Current diode pulsed max | 120A |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Темп. перехода мин. | -40°C |
| Turn off energy typ 175C | 0.60mJ |
| Voltage gate emitter max | ±20V |
| Short circuit current typ | 160A |
| Температура пайки макс. | 260°C |
| Voltage diode forward typ | 1.65V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5.7V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 4.1V |
| Тип. пороговое Uзи | 5.1V |
| Turn on delay time typ 25C | 22ns |
| Turn off delay time typ 25C | 207ns |
| Turn on delay time typ 175C | 23ns |
| Current collector pulsed max | 120A |
| Turn off delay time typ 175C | 239ns |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 600V |
| Power dissipation max case 25C | 188W |
| Total switching energy typ 25C | 1.38mJ |
| Internal emitter inductance typ | 13nH |
| Power dissipation max case 100C | 94W |
| Total switching energy typ 175C | 1.72mJ |
| Gate emitter leakage current max | 100nA |
| Обр. проходная емкость тип. | 50pF |
| Short circuit withstand time max | 5µs |
| Diode reverse recovery time typ 25C | 138ns |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40K/W |
| Diode reverse recovery time typ 175C | 176ns |
| Diode reverse recovery charge typ 25C | 0.32µC |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.80K/W |
| Diode reverse recovery charge typ 175C | 1.07µC |
| Thermal resistance junction case diode | 1.90K/W |
| Zero gate voltage collector current max | 40µA |
| Voltage collector emitter saturation typ | 1.95V |
| Diode peak reverse recovery current typ 25C | 10A |
| Diode peak reverse recovery current typ 175C | 16A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?