Документация
Микросхема IKW25N120T2FKSA1
У поставщика
У поставщиков
783 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:783 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 322,91 |
| от 15 | 305,80 |
| от 30 | 292,22 |
| от 60 | 280,27 |
| от 120 | 272,19 |
Описание
Транзистор IGBT от Infineon рассчитан на напряжение 1200 В и ток 25 А. Выполнен в корпусе TO-247 с изолированным затвором. Подходит для применения в силовых преобразователях, промышленной автоматике и инверторных системах.
Технические характеристики
| Тип | биполярные с изолированным затвором |
| Корпус | PG-TO-247-3 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Gate charge | 120nC |
| Покрытие выводов | Pb-free, RoHS compliant |
| Артикул | IKW25N120T2FKSA1 |
| Конфигурация | IGBT with soft fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
| Квалификация | JEDEC J-STD-020 and JESD-022 |
| Fall time tj25 | 95ns |
| Серия продукта | TrenchStop 2nd generation |
| Rise time tj25 | 20ns |
| Fall time tj175 | 164ns |
| Rise time tj175 | 24ns |
| Transconductance | 13.5S |
| Вх. емкость | 1600pF |
| Выходная емкость | 155pF |
| Turn on energy tj25 | 1.55mJ |
| Diode pulsed current | 100A |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Turn off energy tj25 | 1.35mJ |
| Turn on energy tj175 | 2.25mJ |
| Температура пайки | 260°C for 10s |
| Turn off energy tj175 | 2.05mJ |
| Power dissipation tc25 | 349W |
| Turn on delay time tj25 | 27ns |
| Pulsed collector current | 100A |
| Turn off delay time tj25 | 265ns |
| Turn on delay time tj175 | 25ns |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Dc collector current tc25 | 50A |
| Диап. темп. хр. | -55...150°C |
| Switching test conditions | VCC=600V, IC=25A, VGE=0/15V, RG=16.4Ω |
| Turn off delay time tj175 | 340ns |
| Dc collector current tc110 | 25A |
| Diode forward current tc25 | 40A |
| Diode forward voltage tj25 | 1.65V typ, 2.2V max |
| Диапазон темп. перехода | -40...175°C |
| Test frequency capacitance | 1MHz |
| Diode forward current tc110 | 25A |
| Diode forward voltage tj150 | 1.7V typ |
| Diode forward voltage tj175 | 1.65V typ |
| Internal emitter inductance | 13nH |
| Total switching energy tj25 | 2.9mJ |
| Gate emitter leakage current | 200nA max |
| Обратная проходная емкость | 90pF |
| Short circuit withstand time | 10µs |
| Total switching energy tj175 | 4.3mJ |
| Gate emitter threshold voltage | 5.2V min, 5.8V typ, 6.4V max |
| Diode reverse recovery time tj25 | 195ns |
| Diode reverse recovery time tj175 | 290ns |
| Diode reverse recovery charge tj25 | 2.05µC |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 1200V |
| Diode reverse recovery charge tj175 | 3.65µC |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40K/W |
| Short circuit collector current tj25 | 150A max |
| Turn off safe operating area current | 100A |
| Short circuit collector current tj175 | 115A max |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.43K/W |
| Thermal resistance junction case diode | 0.81K/W |
| Diode peak reverse recovery current tj25 | 20A |
| Zero gate voltage collector current tj25 | 0.4mA max |
| Collector emitter saturation voltage tj25 | 1.7V typ, 2.2V max |
| Diode peak reverse recovery current tj175 | 24A |
| Zero gate voltage collector current tj150 | 4mA max |
| Zero gate voltage collector current tj175 | 20mA max |
| Collector emitter saturation voltage tj150 | 2.1V typ |
| Collector emitter saturation voltage tj175 | 2.2V typ |
| Diode peak rate of fall of reverse recovery current tj25 | 475A/µs |
| Diode peak rate of fall of reverse recovery current tj175 | 330A/µs |
| Напряжение, В | 1200 |
| Ток, А | 25 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?