+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

ТРАНЗИСТОРЫ IKW25N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 50 А, 326 Вт, корпус TO-247-3 IKW25N120H3FKSA1

Артикул:1198443
У поставщика
У поставщиков
610 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:610 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 5
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 5229,37
Описание

IGBT транзистор Infineon Technologies с напряжением 1200 В и током коллектора до 50 А. Модель выполнена в корпусе TO-247-3 с технологией Trench Field Stop, обеспечивающей низкие потери при переключении. Применяется в промышленной автоматике, сварочном оборудовании и силовых преобразователях.

Технические характеристики
IGBT TypeTrench Field Stop
Input Typeстандартный
Gate Charge115 nC
Power - Max326 W
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Test Condition600V, 25A, 23Ohm, 15V
Switching Energy2.65mJ
ОписаниеIGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Td (on/off) @ 25°C27ns/277ns
Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device PackagePG-TO247-3-1
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr)290 ns
Current - Collector (Ic) (Max)50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
КорпусTO-247-3
Мощность, Вт326
Напряжение, В1200
Тип монтажаВыводной
Ток, А50

Заметили ошибку в описании или параметрах?