Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IKW25N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 50 А, 326 Вт, корпус TO-247-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
421 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:421 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 288,25 |
| от 30 | 273,99 |
| от 60 | 264,44 |
| от 120 | 256,05 |
| от 240 | 250,38 |
Описание
IGBT-транзистор IKW25N120H3FKSA1 производства Infineon Technologies представляет собой мощный ключ для силовой электроники. Компонент рассчитан на напряжение 1200 В и ток 50 А, рассеивая до 326 Вт тепла. Выполнен в стандартном корпусе TO-247-3, что упрощает монтаж и отвод тепла. Применяется в инверторах, сварочных аппаратах, источниках бесперебойного питания и приводах электродвигателей, где требуется высокая эффективность переключения и надежность.
Технические характеристики
| Серия | High speed switching series third generation |
| Тип | IGBT |
| Ток, А | 25 А |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 77ns |
| Время нарастания | 17ns |
| Технология | TRENCHSTOP IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode |
| Описание | IGBT transistor, 1200V, 50A, 326W, TO-247-3 |
| Gate charge | 115nC |
| Артикул | IKW25N120H3FKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Соотв. RoHS | Да |
| Turn on energy | 1.80mJ |
| Jedec qualified | Да |
| Момент затяжки | 0.6Nm |
| Turn off energy | 0.85mJ |
| Transconductance | 13S |
| Вх. емкость | 1430pF |
| Рассеиваемая мощность | 326W |
| Выходная емкость | 115pF |
| Температура пайки | 260°C |
| Время задержки включения | 23ns |
| Темп. хранения | -55...+150°C |
| Время задержки выключения | 177ns |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Напряжение, В | 1200 В |
| Напр. диода | 1.8V |
| Total switching energy | 2.65mJ |
| Collector current pulsed | 100A |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Diode reverse recovery time | 120ns |
| Internal emitter inductance | 13nH |
| Непрерывный ток коллектора | 50A |
| Diode forward current pulsed | 100A |
| Обратная проходная емкость | 75pF |
| Short circuit withstand time | 10µs |
| Diode reverse recovery charge | 0.92µC |
| Gate emitter threshold voltage | 5.8V |
| Рабочая температура перехода | -40...+175°C |
| Diode forward current continuous | 25A |
| Diode peak reverse recovery current | 19A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.05V |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.46K/W |
| Diode reverse recovery softness factor | 0.4 |
| Thermal resistance junction case diode | 1.49K/W |
| Diode peak rate of fall of reverse current | -150A/µs |
Заметили ошибку в описании или параметрах?