Документация
Транзистор IKW25N120H3FKSA1
У поставщика
У поставщиков
1 780 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 390 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 264,48 |
| от 30 | 251,39 |
| от 60 | 242,64 |
| от 120 | 234,93 |
| от 240 | 229,72 |
Склад 12
В наличии:390 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 5
Минимальная партия: 150 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 227,70 |
| от 5 | 176,99 |
| от 50 | 169,82 |
Описание
Транзистор IGBT от Infineon в корпусе PG-TO247-3 с технологией Trench и Fieldstop. Выдерживает напряжение до 1200 В, ток 25 А, рассеивает до 326 Вт. Оснащён встроенным обратным диодом с мягким восстановлением. Подходит для силовой электроники, частотных преобразователей и сварочного оборудования.
Технические характеристики
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Тип монтажа | THT |
| Тип диода | soft fast recovery antiparallel |
| Технология | Trench and Fieldstop |
| Gate charge | 115 nC |
| Fall time 25c | 17 ns |
| Тип монтажа | THT |
| Rise time 25c | 41 ns |
| Fall time 175c | 50 ns |
| Rise time 175c | 35 ns |
| Момент затяжки | 0.6 Nm |
| Transconductance | 13.0 S |
| Вх. емкость | 1430 pF |
| Выходная емкость | 115 pF |
| Turn on energy 25c | 1.80 mJ |
| Turn off energy 25c | 0.85 mJ |
| Turn on energy 175c | 2.60 mJ |
| Diode pulsed current | 100A |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Turn off energy 175c | 1.70 mJ |
| Мощн. рас. 25°C | 326W |
| Температура пайки | 260°C for 10 s |
| Power dissipation 100c | 156W |
| Turn on delay time 25c | 27 ns |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Turn off delay time 25c | 277 ns |
| Turn on delay time 175c | 26 ns |
| Dc collector current 25c | 50A |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Pulsed collector current | 100A |
| Turn off delay time 175c | 347 ns |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Dc collector current 100c | 25A |
| Diode forward current 25c | 25A |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Diode forward current 100c | 12.5A |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 6.50V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 5.00V |
| Тип. пороговое Uзи | 5.80V |
| Total switching energy 25c | 2.65 mJ |
| Internal emitter inductance | 13.0 nH |
| Reverse leakage current 25c | 250µA |
| Total switching energy 175c | 4.30 mJ |
| Gate emitter leakage current | 600 nA |
| Макс. температура перехода | 175°C |
| Reverse leakage current 175c | 2500µA |
| Обратная проходная емкость | 75 pF |
| Short circuit withstand time | 10 µs |
| Diode forward voltage 25a 125c | 2.60 V |
| Diode forward voltage 25a 175c | 2.60 V |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1200V |
| Short circuit collector current | 87 A |
| Diode forward voltage 25a 25c max | 3.05 V |
| Diode forward voltage 25a 25c typ | 2.40 V |
| Diode reverse leakage current 25c | 250 µA |
| Diode forward voltage 25a 125c typ | 2.60V |
| Diode forward voltage 25a 175c typ | 2.60V |
| Diode reverse leakage current 175c | 2500 µA |
| Gate emitter threshold voltage max | 6.50 V |
| Gate emitter threshold voltage min | 5.00 V |
| Gate emitter threshold voltage typ | 5.80 V |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -40°C |
| Diode forward voltage 12 5a 25c max | 2.35V |
| Diode forward voltage 12 5a 25c typ | 1.80V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40 K/W |
| Diode forward voltage 12 5a 175c typ | 1.85V |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.46 K/W |
| Zero gate voltage collector current 25c | 250 µA |
| Zero gate voltage collector current 175c | 2500 µA |
| Collector emitter saturation voltage 125c | 2.50 V |
| Collector emitter saturation voltage 175c | 2.70 V |
| Collector emitter saturation voltage 25c max | 2.40 V |
| Collector emitter saturation voltage 25c typ | 2.05 V |
| Collector emitter saturation voltage 125c typ | 2.50V |
| Collector emitter saturation voltage 175c typ | 2.70V |