Документация
Транзистор IGBT IKW15N120H3FKSA1
У поставщика
У поставщиков
380 шт.
Норм. уп.: 2
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 427,29 |
| от 4 | 420,92 |
| от 8 | 417,73 |
| от 15 | 414,54 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:1 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 2
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 427,29 |
| от 4 | 420,92 |
| от 8 | 417,73 |
| от 15 | 414,54 |
Склад 13
В наличии:379 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 373,96 |
| от 13 | 354,53 |
| от 30 | 339,12 |
| от 60 | 325,58 |
| от 120 | 316,41 |
Описание
Транзистор IGBT от Infineon из серии TrenchStop H3. Компонент предназначен для высокочастотной коммутации в силовых цепях. Обеспечивает низкие потери при переключении и высокую надёжность в промышленных преобразователях, сварочном оборудовании и источниках бесперебойного питания.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Размеры | 15.87mm x 5.31mm x 20.93mm |
| Технология | TrenchStop IGBT |
| Артикул | IKW15N120H3FKSA1 |
| Производитель | Infineon |
| Вх. емкость | 870pF |
| Рассеиваемая мощность | 125W |
| Выходная емкость | 165pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Pulsed collector current | 45A |
| Диап. раб. темп. | -40°C to 175°C |
| Обратная проходная емкость | 65pF |
| Описание (англ.) | IGBT 1200V 30A 217W |
| Макс. напр. К-Э | 1200V |
| Gate emitter threshold voltage typ | 2.8V |
| Continuous collector current tc 25c | 30A |
| Continuous collector current tc 100c | 15A |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 1.7V |
| Напряжение, В | 1200 |
| Тип | IGBT |
| Ток, А | 15 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?