Документация
Транзистор IGBT IKW08T120FKSA1 / 1200В, 16А, TO-247
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
519 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:519 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 279,78 |
| от 15 | 264,90 |
| от 30 | 253,08 |
| от 60 | 242,70 |
| от 120 | 235,67 |
Описание
Транзистор IGBT IKW08T120FKSA1 производства Infineon представляет собой мощный полупроводниковый ключ, рассчитанный на напряжение 1200 В и ток 16 А в корпусе TO-247. Компонент оптимизирован для высокоскоростного переключения в силовых цепях с низкими потерями проводимости. Применяется в импульсных источниках питания, сварочных инверторах и приводах электродвигателей.
Технические характеристики
| Серия | TrenchStop |
| Корпус | PG-TO-247-3 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode |
| Артикул | IKW08T120 |
| Код маркировки | K08T120 |
| Квалификация | JEDEC |
| Соотв. RoHS | Да |
| Gate charge typ | 53nC |
| Темп. хранения | -55...+150°C |
| Diode pulsed current | 24A |
| Fall time tj 25c typ | 70ns |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Pb free lead plating | Да |
| Rise time tj 25c typ | 23ns |
| Transconductance typ | 5S |
| Fall time tj 150c typ | 140ns |
| Тип. входная емкость | 600pF |
| Rise time tj 150c typ | 26ns |
| Температура пайки | 260°C |
| Выходная емкость тип. | 36pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Integrated gate resistor | Нет |
| Power dissipation tc 25c | 70W |
| Pulsed collector current | 24A |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Turn on energy tj 25c typ | 0.67mJ |
| Turn off energy tj 25c typ | 0.7mJ |
| Turn on energy tj 150c typ | 1.08mJ |
| Dc collector current tc 25c | 16A |
| Turn off energy tj 150c typ | 1.2mJ |
| Dc collector current tc 100c | 8A |
| Diode forward current tc 25c | 16A |
| Short circuit withstand time | 10µs |
| Описание (англ.) | LOW LOSS DuoPack 1200V 8A |
| Diode forward current tc 100c | 8A |
| Turn on delay time tj 25c typ | 40ns |
| Рабочая температура перехода | -40...+150°C |
| Turn off delay time tj 25c typ | 450ns |
| Turn on delay time tj 150c typ | 40ns |
| Internal emitter inductance typ | 13nH |
| Turn off delay time tj 150c typ | 570ns |
| Diode forward voltage tj 25c max | 2.2V |
| Diode forward voltage tj 25c typ | 1.7V |
| Gate emitter leakage current max | 100nA |
| Обр. проходная емкость тип. | 28pF |
| Diode forward voltage tj 125c typ | 1.7V |
| Diode forward voltage tj 150c typ | 1.7V |
| Total switching energy tj 25c typ | 1.37mJ |
| Gate emitter threshold voltage max | 6.5V |
| Gate emitter threshold voltage min | 5.0V |
| Gate emitter threshold voltage typ | 5.8V |
| Total switching energy tj 150c typ | 2.28mJ |
| Short circuit collector current typ | 48A |
| Diode reverse recovery time tj 25c typ | 80ns |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 1200V |
| Diode reverse recovery time tj 150c typ | 200ns |
| Thermal resistance junction ambient max | 40K/W |
| Diode reverse recovery charge tj 25c typ | 1.0µC |
| Diode reverse recovery charge tj 150c typ | 2.3µC |
| Igbt thermal resistance junction case max | 1.7K/W |
| Diode thermal resistance junction case max | 2.3K/W |
| Diode peak reverse recovery current tj 25c typ | 13A |
| Zero gate voltage collector current tj 25c max | 0.2mA |
| Collector emitter saturation voltage tj 25c max | 2.2V |
| Collector emitter saturation voltage tj 25c typ | 1.7V |
| Diode peak reverse recovery current tj 150c typ | 20A |
| Zero gate voltage collector current tj 150c max | 2.0mA |
| Collector emitter saturation voltage tj 125c typ | 2.0V |
| Collector emitter saturation voltage tj 150c typ | 2.2V |
| Diode peak rate of fall reverse recovery current tj 25c typ | 420A/µs |
| Diode peak rate of fall reverse recovery current tj 150c typ | 320A/µs |
| Напряжение, В | 1200 |
| Ток, А | 8 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?