Документация
Диод Шоттки х2 SiC 1200В 40А(2х20А) (Tc=175°C)
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
212 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:212 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 841,04 |
| от 2 | 1 819,93 |
| от 3 | 1 792,63 |
| от 4 | 1 753,89 |
| от 5 | 1 688,10 |
Описание
Диод Шоттки х2 SiC от Infineon на напряжение 1200 В и общий ток 40 А (2х20 А). Выполнен в корпусе TO-247-3, рабочая температура до 175°C. Применяется в импульсных источниках питания и силовой преобразовательной технике.
Технические характеристики
| Цоколевка | Pin1: anode 1; Pin3: anode 2; Pin2 and backside: cathode |
| Корпус | TO-247-3 |
| Тип монтажа | THT |
| Размеры | see package drawing in datasheet |
| Описание | Silicon Carbide Schottky Diode, 5th Generation CoolSiC™ 1200V SiC Schottky Diode |
| Артикул | IDW40G120C5B |
| Конфигурация | dual diode (common cathode) |
| Квалификация | JEDEC J-STD20 and JESD22 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 0.7Nm |
| Package drawing | PG-TO247-3 |
| I2t value per leg | Tc 25C tp 10ms: 105A²s; Tc 150C tp 10ms: 98A²s |
| Напряжение блокировки DC | 1200V |
| I2t value per device | Tc 25C tp 10ms: 420A²s; Tc 150C tp 10ms: 392A²s |
| Примечание | Шоттки х2 SiC 1200В 40А(2х20А) |
| Температура пайки | 260°C |
| Diode dv dt ruggedness | 80V/ns |
| Прямое напряжение на плечо | If 20A tj 25C: Max: 1.65V; Typ: 1.4V; If 20A tj 150C: Max: 2.30V; Typ: 1.7V |
| Reverse current per leg | Vr 1200V tj 25C: Max: 166µA; Typ: 12µA; Vr 1200V tj 150C: Max: 850µA; Typ: 59µA |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Power dissipation per leg | 201W |
| Total capacitance per leg | Vr 1V: 1296pF; Vr 400V: 92pF; Vr 800V: 73pF |
| Forward voltage per device | If 40A tj 25C: Max: 1.65V; Typ: 1.4V; If 40A tj 150C: Max: 2.30V; Typ: 1.7V |
| Reverse current per device | Vr 1200V tj 25C: Max: 332µA; Typ: 23µA; Vr 1200V tj 150C: Max: 1700µA; Typ: 118µA |
| Power dissipation per device | 402W |
| Total capacitance per device | Vr 1V: 2592pF; Vr 400V: 183pF; Vr 800V: 146pF |
| Описание (англ.) | SiC Diode Schottky 1200V 40A |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1200V |
| Total capacitive charge per leg | 101nC |
| Operating and storage temperature | -55...175°C |
| Capacitively stored energy per leg | see figure 9 |
| Continuous forward current per leg | Tc 25C: 55A; Tc 135C: 25A; Tc 148C: 20A |
| Total capacitive charge per device | 202nC |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62K/W |
| Continuous forward current per device | Tc 25C: 110A; Tc 135C: 51A; Tc 148C: 40A |
| Thermal resistance junction case per leg | Max: 0.8K/W; Typ: 0.6K/W |
| Non repetitive peak forward current per leg | 1575A |
| Thermal resistance junction case per device | Max: 0.4K/W; Typ: 0.3K/W |
| Surge non repetitive forward current per leg | Tc 25C tp 10ms: 145A; Tc 150C tp 10ms: 140A |
| Non repetitive peak forward current per device | 3150A |
| Surge non repetitive forward current per device | Tc 25C tp 10ms: 290A; Tc 150C tp 10ms: 280A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?