Документация
Драйвер высоковольтный быстродействующий MOSFET и IGBT
У поставщика
ПроизводительCHIPOWN
КатегорияДрайверы MOSFET и IGBT
У поставщиков
5 363 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:4 602 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 16,57 |
Склад 13
В наличии:761 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 24,32 |
| от 80 | 21,99 |
| от 159 | 20,08 |
| от 318 | 18,62 |
| от 635 | 17,54 |
Описание
Драйвер высоковольтный быстродействующий MOSFET и IGBT от CHIPOWN. Выполнен в компактном корпусе SOIC8, поддерживает высокое напряжение и высокую скорость переключения. Идеально подходит для импульсных источников питания, преобразователей и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| ЭСР HBM | 2kV |
| Корпус | SOIC-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Применение | Small and medium-power motor driver, Power MOSFET or IGBT driver, Lighting ballast, Half-Bridge/Fully-Bridge Power Converters |
| Описание | High Voltage Half Bridge Gate Drive IC |
| Артикул | ID7U603SEC-R1 |
| Dead time max | 650ns |
| Dead time min | 400ns |
| Dead time typ | 520ns |
| Макс. время спада | 90ns |
| Тип. время спада | 50ns |
| Макс. время нарастания | 170ns |
| Тип. время нарастания | 100ns |
| Current sink peak | 360mA |
| Модель машины ЭСР | 200V |
| Voltage vbs range | VS+10V to VS+20V |
| Voltage vcc range | 10V to 20V |
| Delay matching max | 60ns |
| Размеры упаковки | Шаг: 1.27mm typical; Высота: 1.499mm to 1.750mm; Ширина корпуса: 3.877mm to 3.997mm; Ширина вывода: 0.406mm typical; Длина корпуса: 4.852mm to 4.952mm; Длина вывода: 0.406mm to 0.889mm; Общая ширина: 5.842mm to 6.198mm |
| Current source peak | 210mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 0.625W |
| Dvin transient immunity | ±50V/ns |
| Voltage vb absolute max | 620V |
| Voltage vs absolute max | 600V |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Quiescent vb current max | 55uA |
| Quiescent vb current typ | 30uA |
| Quiescent vcc current max | 270uA |
| Quiescent vcc current typ | 150uA |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Uvlo vcc threshold rising | 8.9V |
| Input bias current low max | 1uA |
| Uvlo vcc threshold falling | 8.2V |
| Input bias current high max | 10uA |
| Input bias current high typ | 6uA |
| Input logic voltage low max | 0.8V |
| Диап. раб. темп. | -40°C to 125°C |
| Output voltage low drop max | 0.3V |
| Voltage max floating supply | 600V |
| Current sink short pulse min | 270mA |
| Input logic voltage high min | 2.5V |
| Output voltage high drop max | 0.3V |
| Описание (англ.) | high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver |
| Leakage current vs to gnd max | 10uA |
| Bootstrap resistor recommended | 10Ω |
| Current source short pulse min | 130mA |
| Термосопротивление переход-среда | 200°C/W |
| Turn on propagation delay low side max | 220ns |
| Turn on propagation delay low side typ | 160ns |
| Turn on propagation delay high side max | 820ns |
| Turn on propagation delay high side typ | 680ns |
| Turn off propagation delay high side max | 220ns |
| Turn off propagation delay high side typ | 150ns |
Заметили ошибку в описании или параметрах?