Документация
Транзистор ID7S625SBC-R1
У поставщика
У поставщиков
3 129 шт.
Норм. уп.: 1500
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:2 968 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 22,70 |
Склад 13
В наличии:161 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 22 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 32,73 |
| от 21 | 31,74 |
| от 42 | 30,34 |
| от 84 | 28,36 |
| от 167 | 26,17 |
Описание
Транзистор ID7S625SBC-R1 от CHIPOWN представляет собой интегрированный силовой ключ, объединяющий в одном корпусе MOSFET и драйвер управления. Компонент оптимизирован для высокочастотной коммутации в импульсных источниках питания и преобразователях. Отличается низким сопротивлением открытого канала и встроенной защитой от перегрузок, что повышает надежность силовых схем.
Технические характеристики
| Корпус | SOW16 |
| Особенности | Fully operational to +600V, 3.3V/5V/15V logic compatible, Floating channel designed for bootstrap operation, Gate drive supply range from 10V to 20V, UVLO for both channels, 2.5A output current capability, Matched propagation delay for both channels |
| Тип монтажа | SMD |
| Описание | High Voltage High Side & Low Side Gate Drive IC |
| Esd ratings | Hbm: 2.5kV; Machine model: 200V |
| Артикул | ID7S625SBC-R1 |
| Применение | DC/DC Converter, Power MOSFET or IGBT driver, DC/AC Converter |
| Dv/dt rating | 50V/ns |
| Производитель | Chipown |
| Current ratings | Output low short circuit pulsed current: 2.5A; Output high short circuit pulsed current: 2.5A |
| Voltage ratings | Logic input operating: 0V to VDD; Logic ground operating: -5V to 5V; Logic supply operating: VSS + 3V to VSS + 20V; Logic input absolute max: VSS - 0.3V to VDD + 0.3V; Logic ground absolute max: VCC - 25V to VCC + 0.3V; Logic supply absolute max: VCC + 0.3V; Low side supply operating: 10V to 20V; Low side output absolute max: -0.3V to VCC + 0.3V; Low side supply absolute max: 25V; High side output absolute max: VS - 0.3V to VB + 0.3V; High side floating supply operating: VS + 10V to VS + 20V; High side floating supply absolute max: 625V; High side floating supply return operating: COM - 8V to 600V; High side floating supply return absolute max: VB - 25V to VB + 0.3V |
| Рассеиваемая мощность | Package power dissipation sow16: 1.25W |
| Темп. диапазон | Storage: -55°C to 150°C; Junction: 150°C; Lead soldering: 300°C (10 seconds); Operating ambient: -40°C to 125°C |
| Тепловое сопротивление | Junction to ambient sow16: 100°C/W |
| Logic compatibility | 3.3V/5V/15V |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Package dimensions sow16 | A: 2.65mm max; D: 10.10mm to 10.50mm; E: 10.26mm to 10.60mm; L: 0.55mm to 0.85mm; B: 0.35mm to 0.44mm; C: 0.25mm to 0.31mm; E: 1.27mm BSC; A1: 0.10mm to 0.30mm; A2: 2.25mm to 2.35mm; A3: 0.97mm to 1.07mm; E1: 7.30mm to 7.70mm; L1: 1.4mm BSC; B1: 0.34mm to 0.39mm; C1: 0.24mm to 0.26mm; Θ: 0° to 8° |
| Switching characteristics | Delay matching: 30ns max; Время нарастания: 20ns typ, 30ns max; Время спада: 15ns typ, 25ns max; Turn on propagation delay: 135ns typ, 220ns max; Shutdown propagation delay: 135ns typ, 220ns max; Turn off propagation delay: 135ns typ, 220ns max |
| Электрические характеристики | Leakage current from vs: 10μA max; Logic low input voltage: 5V max; Logic high input voltage: 9.5V min; Low level output voltage: 0.15V max; Logic 0 input bias current: 5μA max; Logic 1 input bias current: 20μA typ, 40μA max; Quiescent vb supply current: 75μA typ, 150μA max; Quiescent vcc supply current: 120μA typ, 240μA max; Quiescent vdd supply current: 30μA max; High level output voltage drop: 1.4V max; Supply uvlo threshold vbs rising: 7.5V to 9.7V (typ 8.4V); Supply uvlo threshold vcc rising: 7.5V to 9.6V (typ 8.4V); Supply uvlo threshold vbs falling: 7V to 9.4V (typ 8V); Supply uvlo threshold vcc falling: 7V to 9.4V (typ 8V) |
| Описание (англ.) | high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver |
| Напряжение, В | 625 |
| Тип | Драйвер MOSFET |
| Ток, А | 7 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?