Документация
Транзистор полевой HYG015N10NS1TA / N-канал, TOLL-8, 380А, 100В
У поставщика
ПроизводительHUAYI
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 922 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:1 922 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 231,88 |
| от 20 | 220,47 |
| от 30 | 214,23 |
| от 50 | 209,21 |
| от 85 | 204,79 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) N-канального типа от производителя HUAYI. Модель HYG015N10NS1TA выполнена в корпусе TOLL-8 и рассчитана на ток 380 А при напряжении 100 В. Предназначен для применения в цепях с высокой коммутируемой мощностью, в том числе в источниках питания, преобразователях и системах управления двигателями. Обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и эффективное тепловыделение.
Технические характеристики
| Qg | 205nC |
| Rg | 1.3Ω |
| Tf | 135ns |
| Tr | 110ns |
| Eas | 718mJ |
| Заряд затвор-сток | 50nC |
| Заряд затвор-исток | 60nC |
| Заряд обратного восстановления | 195nC |
| TRR | 97ns |
| Ciss | 12300pF |
| Coss | 5120pF |
| Crss | 250pF |
| Td(вкл) | 40ns |
| Td(выкл) | 110ns |
| Корпус | TOLL |
| Vsd макс. | 1.2V |
| VSD тип. | 0.83V |
| Igss макс. | ±100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Bvdss min | 100V |
| Кол-во выводов | 8 |
| Rds(вкл) макс. | 1.5mΩ |
| Rds(вкл) тип. | 1.2mΩ |
| Vgs порог макс. | 4V |
| Vgs порог мин. | 2V |
| Vgs(th) тип. | 3V |
| Описание | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Артикул | HYG015N10NS1TA |
| Без галогенов | Да |
| Idss max tc25 | 1μA |
| Unit quantity | 1200 |
| Idss max tc125 | 50μA |
| Соотв. RoHS | Да |
| Avalanche tested | Да |
| Eas test conditions | L=0.3mH, RG=25Ω, VGS=10V, TJ=25°C |
| Vsd test conditions | ISD=100A, VGS=0V |
| Bvdss test conditions | VGS=0V, IDS=250μA |
| Тепловое сопротивление JA | 45°C/W |
| Тепловое сопротивление JC | 0.35°C/W |
| Rds on test conditions | VGS=10V, IDS=100A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Gate source voltage vgss | ±20V |
| Pulsed drain current idm | 1200A |
| Drain source voltage vdss | 100V |
| Power dissipation pd tc25 | 428.5W |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 175°C |
| Power dissipation pd tc100 | 214.3W |
| Source current continuous is | 380A |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 100V 380A |
| Continuous drain current id tc25 | 380A |
| Continuous drain current id tc100 | 268.7A |
| Обратное напряжение, В | 100 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?