Документация
Оптопара с транзисторным выходом 80В 50мА напряжение изоляции 5000В SOP4L коэффициент передачи 300-600
У поставщика
ПроизводительHualian
У поставщиков
9 101 шт.
Норм. уп.: 4500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:9 101 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4500
Минимальная партия: 74 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 9,45 |
| от 110 | 8,87 |
| от 219 | 8,19 |
| от 437 | 7,50 |
| от 873 | 6,96 |
Описание
Оптопара с транзисторным выходом от Hualian. Работает при напряжении до 80 В и токе до 50 мА, напряжение изоляции — 5000 В. Коэффициент передачи (CTR) составляет 300–600, корпус SOP-4. Подходит для гальванической развязки в промышленной автоматике и блоках питания.
Технические характеристики
| Ctr | 300-600% |
| MSL | MSL1 |
| ЭСР HBM | ≥2kV |
| Корпус | SOP-4 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 5μs |
| Время нарастания | 7μs |
| Описание | Photo-transistor Output Opto-coupler |
| Артикул | HPC817D-2 |
| Срок хранения | 1year |
| Время включения | 11μs |
| Время выключения | 7.5μs |
| Прямое напряжение | 1.4V |
| Обратный ток | 10μA |
| Влажн. хранения | <60% |
| Напр. изоляции | 5000Vrms |
| Lead tin thickness | ≥3μm |
| Saturation voltage | 0.2V |
| Темп. хранения | 0~40°C |
| Сопр. изоляции | 10^14Ω |
| Input forward current | 60mA |
| Input reverse voltage | 6V |
| Емк. изоляции | 0.4pF |
| Температура пайки | 260°C |
| Рассеиваемая мощность входа | 100mW |
| Общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Output collector current | 50mA |
| Диап. темп. хр. | -55~125°C |
| Диап. раб. темп. | -55~110°C |
| Reflow soldering temperature | 245°C |
| Описание (англ.) | Photo-transistor Output Opto-coupler 80V 50mA 5000Vrms SOP4L CTR 300-600 |
| Output collector emitter voltage | 80V |
| Output emitter collector voltage | 6V |
| Collector emitter reverse current | 100nA |
| Output collector power dissipation | 150mW |
| Collector emitter reverse breakdown voltage | 80V |
| Emitter collector reverse breakdown voltage | 6V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?