+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
HPC817C
Документация

Оптопара с транзисторным выходом 80В 50мА напряжение изоляции 5000В DIP4L коэффициент передачи 200-400

Артикул:909293
У поставщика
ПроизводительHualian
У поставщиков
51 985 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:30 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 320
Минимальная партия: 3200 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 16,21
от 3204,31
от 3 2003,53
Склад 13
В наличии:21 985 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 142 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 14,89
от 7004,15
от 1 4003,57
от 2 7003,11
от 5 3002,83
Описание

Оптопара HPC817C от Hualian с транзисторным выходом. Выдерживает изоляцию до 5000В, максимальный ток коллектора 50мА и напряжение 80В. Коэффициент передачи тока составляет 200-400%, корпус DIP-4 для монтажа в отверстия. Подходит для гальванической развязки в блоках питания и промышленной автоматике.

Технические характеристики
MSLMSL1
Ctr max400%
Ctr min200%
ЭСР HBM≥2kV
КорпусDIP-4
Тип монтажаTHT
Время спада5μs
Уровень MSL1
Время нарастания7μs
ОписаниеPhoto-transistor Output Opto-coupler
Тип выходаphototransistor
АртикулHPC817C
ПроизводительXiamen Hualian Electronics Corp., Ltd.
Срок хранения1 year
Время включения11μs
Время выключения7.5μs
Кол-во выводов4
Прямое напряжение1.4V
Обратный ток10μA
Тип. время спада5μs
Напр. изоляции5000Vrms
Тип. время нарастания7μs
Ctr test conditionIF=5mA, VCE=5V
Lead tin thickness≥3μm
Saturation voltage0.2V
Макс. прямой ток60mA
Макс. прямое напряжение1.4V
Макс. обратное напряжение6V
Темп. хранения-55~125°C
Сопр. изоляции10^12-10^14Ω
Макс. ток коллектора50mA
Input forward current60mA
Input reverse voltage6V
Емк. изоляции0.4pF
Раб. температура-55~110°C
Температура пайки260°C
Current transfer ratio200-400%
Макс. напряж. насыщения0.2V
Прямое напряжение типовое1.24V
Рассеиваемая мощность входа100mW
Общая рассеиваемая мощность200mW
Тип упаковкиTube (туба)
Output collector current50mA
Soldering temperature dip260°C, 10s
Диап. темп. хр.-55 to 125°C
Saturation voltage typical0.06V
Leadframe plating thickness≥3μm
Диап. раб. темп.-55 to 110°C
Power dissipation input max100mW
Макс. общая рассеиваемая мощность200mW
Power dissipation output max150mW
Recommended storage humidity<60%
Reflow soldering temperature245°C
Soldering temperature reflow245°C, 120s
Описание (англ.)Photo-transistor Output Opto-coupler 80V 50mA 5000Vrms DIP4L CTR 200-400
Макс. напр. К-Э80V
Recommended storage temperature0~40°C
Output collector emitter voltage80V
Output emitter collector voltage6V
Collector emitter reverse current100nA
Output collector power dissipation150mW
Количество каналов1

Заметили ошибку в описании или параметрах?