
Документация
Оптопара с транзисторным выходом 80В 50мА напряжение изоляции 5000В DIP4L коэффициент передачи 200-400
У поставщика
ПроизводительHualian
У поставщиков
51 985 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:30 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 320
Минимальная партия: 3200 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,21 |
| от 320 | 4,31 |
| от 3 200 | 3,53 |
Склад 13
В наличии:21 985 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 142 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,89 |
| от 700 | 4,15 |
| от 1 400 | 3,57 |
| от 2 700 | 3,11 |
| от 5 300 | 2,83 |
Описание
Оптопара HPC817C от Hualian с транзисторным выходом. Выдерживает изоляцию до 5000В, максимальный ток коллектора 50мА и напряжение 80В. Коэффициент передачи тока составляет 200-400%, корпус DIP-4 для монтажа в отверстия. Подходит для гальванической развязки в блоках питания и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| MSL | MSL1 |
| Ctr max | 400% |
| Ctr min | 200% |
| ЭСР HBM | ≥2kV |
| Корпус | DIP-4 |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 5μs |
| Уровень MSL | 1 |
| Время нарастания | 7μs |
| Описание | Photo-transistor Output Opto-coupler |
| Тип выхода | phototransistor |
| Артикул | HPC817C |
| Производитель | Xiamen Hualian Electronics Corp., Ltd. |
| Срок хранения | 1 year |
| Время включения | 11μs |
| Время выключения | 7.5μs |
| Кол-во выводов | 4 |
| Прямое напряжение | 1.4V |
| Обратный ток | 10μA |
| Тип. время спада | 5μs |
| Напр. изоляции | 5000Vrms |
| Тип. время нарастания | 7μs |
| Ctr test condition | IF=5mA, VCE=5V |
| Lead tin thickness | ≥3μm |
| Saturation voltage | 0.2V |
| Макс. прямой ток | 60mA |
| Макс. прямое напряжение | 1.4V |
| Макс. обратное напряжение | 6V |
| Темп. хранения | -55~125°C |
| Сопр. изоляции | 10^12-10^14Ω |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Input forward current | 60mA |
| Input reverse voltage | 6V |
| Емк. изоляции | 0.4pF |
| Раб. температура | -55~110°C |
| Температура пайки | 260°C |
| Current transfer ratio | 200-400% |
| Макс. напряж. насыщения | 0.2V |
| Прямое напряжение типовое | 1.24V |
| Рассеиваемая мощность входа | 100mW |
| Общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Output collector current | 50mA |
| Soldering temperature dip | 260°C, 10s |
| Диап. темп. хр. | -55 to 125°C |
| Saturation voltage typical | 0.06V |
| Leadframe plating thickness | ≥3μm |
| Диап. раб. темп. | -55 to 110°C |
| Power dissipation input max | 100mW |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Power dissipation output max | 150mW |
| Recommended storage humidity | <60% |
| Reflow soldering temperature | 245°C |
| Soldering temperature reflow | 245°C, 120s |
| Описание (англ.) | Photo-transistor Output Opto-coupler 80V 50mA 5000Vrms DIP4L CTR 200-400 |
| Макс. напр. К-Э | 80V |
| Recommended storage temperature | 0~40°C |
| Output collector emitter voltage | 80V |
| Output emitter collector voltage | 6V |
| Collector emitter reverse current | 100nA |
| Output collector power dissipation | 150mW |
| Количество каналов | 1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?