+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
HPC817A-2
Документация

Оптопара с транзисторным выходом 80В 50мА напряжение изоляции 5000В коэффициент передачи 80-160 SOP4L

Артикул:879256
У поставщика
ПроизводительHualian
У поставщиков
8 567 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:8 490 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1500
Минимальная партия: 196 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 13,55
от 1573,19
от 3142,86
от 6282,54
от 1 5002,31
Склад 12
В наличии:77 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 15,18
от 1004,76
Описание

Оптопара с транзисторным выходом от Hualian. Рабочее напряжение до 80 В, ток до 50 мА, напряжение изоляции 5000 В, коэффициент передачи 80–160%. Выпускается в компактном корпусе SOP4L для поверхностного монтажа. Применяется в блоках питания, промышленной автоматике и интерфейсах для гальванической развязки цепей.

Технические характеристики
Ctr max160%
Ctr min80%
ЭСР HBM≥2kV
КорпусSOP-4L
Ctr codeA
Тип монтажаSMD
Уровень MSL1
Кол-во выводов4
Шаг выводов1.27mm
ОписаниеPhoto-transistor output optocoupler, CTR 80-160%, SOP4L
АртикулHPC817A-2
Тип упаковкиSOP4L
Срок хранения1 year
КорпусSMDIP-4
Макс. время спада18μs
Тип. время спада4μs
Тип монтажаSMD
Ширина корпуса4.4mm
Макс. время нарастания18μs
Тип. время нарастания3μs
Высота корпуса2.0mm
Длина корпуса5.0mm
Dark current max100nA
Тип. время спада4μs
Напр. изоляции5000Vrms
Тип. время нарастания3μs
Ctr test conditionIF=5mA, VCE=5V
Макс. прямое напряжение1.4V
Макс. обратный ток10μA
Сопр. изоляции10^12-10^14Ω
Макс. влажн. хр.60%
Емк. изоляции0.4pF
Сертиф. безоп.UL, VDE
Current transfer ratio80-160%
Макс. напряж. насыщения0.2V
Saturation voltage typ0.06V
Прямое напряжение типовое1.24V
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Сопротивление изоляции мин.10^12 ohm
Switching test conditionVCE=2V, RL=100Ω, IC=2mA
Вх. ток макс.60mA
Макс. прямое вх. напр.1.4V
Input forward voltage typ1.24V
Input reverse current max10μA
Обр. напр. вх. макс.6V
Saturation test conditionIF=20mA, IC=1mA
Soldering temperature dip260°C (10s)
Диап. темп. хр.-55~125°C
Lead plating thickness min3μm
Уровень чувствительности к влагеMSL1
Saturation voltage typical0.06V
Макс. рассеиваемая мощность входа100mW
Диап. раб. темп.-55~110°C
Макс. общая рассеиваемая мощность200mW
Макс. ток коллектора50mA
Температура ручной пайки360°C ±5°C
Soldering temperature reflow245°C (120s)
Описание (англ.)Photo-transistor Output Opto-coupler 80V 50mA VISO=5000Vrms CTR 80-160 SOP4L
Isolation capacitance typical0.4pF
Soldering temperature reflow max245°C
Output collector power dissipation max150mW
Output collector emitter breakdown voltage min80V
Output emitter collector breakdown voltage min6V

Заметили ошибку в описании или параметрах?