+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
HPC357D
Документация

Оптопара с транзисторным выходом 80В 50мА напряжение изоляции 3750В коэффициент передачи 300-600

Артикул:908474
У поставщика
ПроизводительHualian
У поставщиков
23 935 шт.
Норм. уп.: 300
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:12 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 300
Минимальная партия: 3000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 14,14
от 3002,60
от 3 0002,16
Склад 13
В наличии:11 935 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 82 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 18,56
от 2427,41
от 4846,45
от 9685,72
от 1 9355,22
Описание

Оптопара с транзисторным выходом от Hualian в миниатюрном корпусе SOP-4 для поверхностного монтажа. Выдерживает выходное напряжение до 80 В и ток до 50 мА, напряжение изоляции 3750 В, коэффициент передачи тока от 300% до 600%. Применяется в промышленной автоматике, блоках питания и интерфейсах для гальванической развязки сигналов.

Технические характеристики
Ctr max600%
Ctr min300%
ЭСР HBM≥2kV
КорпусSOP-4
Тип монтажаSMD
Уровень MSLMSL1
Кол-во выводов4
ОписаниеPhototransistor output optocoupler
Тип выходаphototransistor
АртикулHPC357D
Qty per reel3000pcs
Макс. время спада18μs
Тип. время спада4μs
Макс. время нарастания18μs
Тип. время нарастания3μs
Qty per carton45000pcs
Соотв. RoHSДа
REACHДа
Production placeXiamen, China
Reflow max times3
Напр. изоляции3750Vrms
Условия хранения0-40°C, <60% humidity
Ctr test conditionIF=5mA, VCE=5V
Lead tin thickness≥3μm
Макс. прямой ток60mA
Макс. прямое напряжение1.4V
Типовое прямое напряжение1.24V
Макс. обратный ток10μA
Макс. обратное напряжение6V
Sealed storage life1 year
Макс. ток коллектора50mA
Manual soldering time≤3s
Сертиф. безоп.UL, VDE
Lead plating thickness≥3μm Sn
Макс. напряж. насыщения0.2V
Saturation voltage typ0.06V
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Isolation resistance max1e14Ω
Сопротивление изоляции мин.1e12Ω
Тип. сопр. изоляции10^14Ω
Switching test conditionVCE=5V, RL=100Ω, IC=2mA
Вх. ток макс.60mA
Обр. напр. вх. макс.6V
Isolation capacitance max1pF
Типовая изоляционная емкость0.4pF
Диап. темп. хр.-55°C to 125°C
Уровень чувствительности к влагеMSL1
Макс. рассеиваемая мощность входа100mW
Диап. раб. темп.-55°C to 110°C
Макс. общая рассеиваемая мощность200mW
Manual soldering temperature360°C±5°C
Макс. ток коллектора50mA
Reflow soldering temperature260°C for 10s
Storage humidity recommended<60%
Описание (англ.)Photo-transistor Output Opto-coupler 80V 50mA VISO=3750Vrms CTR 300-600
Manual soldering repair times≤2
Sealed packaging storage life1 year
Макс. Pк150mW
Reflow solder paste compositionSnAg3Cu0.5
Storage temperature recommended0~40°C
Isolation voltage test conditionIoff<0.3mA, AC, 60s
Reflow solder paste melting temp217°C
Saturation voltage test conditionIF=20mA, IC=2mA
Isolation resistance test conditionV=500V
Количество каналов1
Isolation capacitance test conditionV=0V, F=1MHz
Макс. Uкэ80V
Макс. Uэк7V
Collector emitter reverse current max100nA
Output collector power dissipation max150mW
Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер80V
Emitter collector breakdown voltage min7V

Заметили ошибку в описании или параметрах?