Документация
Оптопара с транзисторным выходом 80В 50мА напряжение изоляции 3750В SOP 4L коэффициент передачи 200-400
У поставщика
ПроизводительHualian
У поставщиков
29 185 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:19 185 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 104 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,75 |
| от 96 | 6,22 |
| от 192 | 5,65 |
| от 384 | 5,07 |
| от 768 | 4,61 |
Склад 12
В наличии:10 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,21 |
| от 50 | 5,23 |
Описание
Оптопара с транзисторным выходом от Hualian. Работает при напряжении до 80 В и токе до 50 мА, напряжение изоляции 3750 В, коэффициент передачи от 200 до 400. Выполнена в миниатюрном корпусе SOP-4L для поверхностного монтажа. Применяется в промышленной автоматике и блоках питания для гальванической развязки цепей.
Технические характеристики
| Ctr | 200-400% at IF=5mA, VCE=5V |
| MSL | MSL1 |
| Тип | Photo-transistor Output Optocoupler |
| ЭСР HBM | ≥2kV |
| Корпус | SOP-4 |
| Ctr code | C |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 4µs typ, 18µs max at VCE=5V, RL=100Ω, IC=2mA |
| Уровень MSL | 1 |
| Кол-во выводов | 4 |
| Время нарастания | 3µs typ, 18µs max at VCE=5V, RL=100Ω, IC=2mA |
| Описание | Photo-transistor Output Opto-coupler |
| Esd hbm min | 2kV |
| Артикул | HPC357C |
| Срок хранения | 1 year |
| Макс. время спада | 18μs |
| Тип. время спада | 4μs |
| Количество в катушке | 3000pcs |
| Макс. время нарастания | 18μs |
| Тип. время нарастания | 3μs |
| Соотв. RoHS | Да |
| Количество в коробке | 45000pcs |
| Прямое напряжение | 1.24V (typ), 1.4V (max) at IF=10mA |
| REACH | Да |
| Обратный ток | 10µA max at VR=6V |
| Production place | Xiamen, China |
| Reflow max times | 3 |
| Влажн. хранения | <60% |
| Ul certification | Да |
| Напр. изоляции | 3750Vrms |
| Vde certification | Да |
| Lead tin thickness | ≥3µm |
| Saturation voltage | 0.06V typ, 0.2V max at IF=20mA, IC=2mA |
| Макс. прямое напряжение | 1.4V |
| Типовое прямое напряжение | 1.24V |
| Reflow solder paste | SnAg3Cu0.5 |
| Макс. обратный ток | 10μA |
| Sealed storage life | 1 year |
| Темп. хранения | -55~125°C |
| Сопр. изоляции | 10^12 min, 10^14 typ at V=500V |
| Input forward current | 60mA |
| Input reverse voltage | 6V |
| Емк. изоляции | 0.4pF typ, 1pF max at V=0V, f=1MHz |
| Manual soldering time | ≤3s |
| Раб. температура | -55~110°C |
| Время оплавления | 10s |
| Макс. напряж. насыщения | 0.2V |
| Saturation voltage typ | 0.06V |
| Hand soldering time max | 3s |
| Рассеиваемая мощность входа | 100mW |
| Макс. темп. хр. | 125°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Fall time test condition | VCE=5V, RL=100Ω, IC=2mA |
| Сопротивление изоляции мин. | 10^12Ω |
| Тип. сопр. изоляции | 10^14Ω |
| Output collector current | 50mA |
| Рассеиваемая мощность | 150mW |
| Rise time test condition | VCE=5V, RL=100Ω, IC=2mA |
| Hand soldering rework max | 2 times |
| Вх. ток макс. | 60mA |
| Обр. напр. вх. макс. | 6V |
| Isolation capacitance max | 1pF |
| Типовая изоляционная емкость | 0.4pF |
| Макс. раб. темп. | 110°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Pin plating thickness min | 3μm |
| Коэф. передачи макс. | 400% |
| Мин. коэфф. передачи тока | 200% |
| Температура ручной пайки | 360°C ±5°C |
| Reflow melting temperature | 217°C |
| Input forward current pulse | 60mA |
| Manual soldering temperature | 360°C ±5°C |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Reflow soldering temperature | 260°C (10s) |
| Описание (англ.) | Photo-transistor Output Opto-coupler 80V 50mA 3750Vrms SOP 4L CTR 200-400 |
| Manual soldering repair times | ≤2 |
| Collector emitter dark current | 100nA max at VCE=20V |
| Output collector emitter voltage | 80V |
| Output emitter collector voltage | 7V |
| Reflow soldering temperature max | 260°C |
| Storage humidity recommended max | 60% |
| Saturation voltage test condition | IF=20mA, IC=2mA |
| Output collector power dissipation | 150mW |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 80V min at IC=0.1mA |
| Emitter collector breakdown voltage | 7V min at IE=0.1mA |
| Isolation resistance test condition | V=500V |
| Storage temperature recommended max | 40°C |
| Storage temperature recommended min | 0°C |
| Количество каналов | 1 |
| Isolation capacitance test condition | V=0V, f=1MHz |
| Макс. Uкэ | 80V |
| Макс. Uэк | 7V |
| Collector emitter leakage current max | 100nA |
| Current transfer ratio test condition | IF=5mA, VCE=5V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 80V |
| Emitter collector breakdown voltage min | 7V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?