+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Главная›Оптоэлектронные приборы›Оптопары с транзисторным и диодным выходом›HPC357B
HPC357B
Документация
Даташит

Оптопара с транзисторным выходом 80В 50мА напряжение изоляции 3750В SOP 4L коэффициент передачи 130-260

Артикул:890502
У поставщика
ПроизводительHualian
КатегорияОптопары с транзисторным и диодным выходом
У поставщиков
22 755 шт.
Норм. уп.: 300
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:11 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 300
Минимальная партия: 3000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 17,25
от 3006,34
Склад 13
В наличии:9 445 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 128 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 15,46
от 1124,99
от 2244,51
от 4474,05
от 8933,67
Склад 14
В наличии:2 310 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 3 0006,33
Описание

Оптопара с транзисторным выходом HPC357B от Hualian. Компонент рассчитан на напряжение до 80 В и ток до 50 мА, обеспечивает гальваническую развязку 3750 В. Коэффициент передачи составляет 130–260%, корпус SOP-4 подходит для поверхностного монтажа. Применяется в промышленной автоматике, блоках питания и системах управления.

Технические характеристики
Ctr130-260%
MSLMSL1
ЭСР HBM≥2kV
КорпусSOP-4
Тип монтажаSMD
Ctr range130-260%
Время спада18μs
Кол-во выводов4
Время нарастания18μs
Срок хранения1 year
ОписаниеPhoto-transistor Output Opto-coupler
АртикулHPC357B
Макс. время спада18μs
Макс. время нарастания18μs
Соотв. RoHSДа
Прямое напряжение1.4V
REACHДа
Обратный ток10μA
Влажн. хранения<60%
Тип. время спада4μs
Напр. изоляции3750Vrms
Тип. время нарастания3μs
Ctr test conditionIF=5mA, VCE=5V
Lead tin thickness≥3μm
Saturation voltage0.2V
Макс. прямое напряжение1.4V
Reflow solder pasteSnAg3Cu0.5
Макс. обратный ток10μA
Темп. хранения0~40°C
Сопр. изоляции10^14Ω
Input forward current60mA
Input reverse voltage6V
Емк. изоляции1pF
Manual soldering time≤3s
Packing quantity reel3000pcs
Сертиф. безоп.UL, VDE
Lead plating thickness≥3μm
Макс. напряж. насыщения0.2V
Прямое напряжение типовое1.24V
Рассеиваемая мощность входа100mW
Packing quantity carton45000pcs
Общая рассеиваемая мощность200mW
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Fall time test conditionVCE=5V, RL=100Ω, IC=2mA
Isolation resistance max10^14 ohm
Сопротивление изоляции мин.10^12 ohm
Output collector current50mA
Rise time test conditionVCE=5V, RL=100Ω, IC=2mA
Вх. ток макс.60mA
Обр. напр. вх. макс.6V
Isolation capacitance max1pF
Диап. темп. хр.-55 to 125°C
Уровень чувствительности к влагеMSL1
Макс. количество оплавлений3
Saturation voltage typical0.06V
Input forward current pulse1A
Диап. раб. темп.-55 to 110°C
Reflow solder melting point217°C
Manual soldering temperature360°C±5°C
Макс. ток коллектора50mA
Reflow soldering temperature260°C (10s)
Описание (англ.)Photo-transistor Output Opto-coupler 80V 50mA VISO=3750Vrms SOP 4L CTR 130-260
Isolation capacitance typical0.4pF
Manual soldering repair times≤2
Rise fall time test conditionVCE=5V, RL=100Ω, IC=2mA
Условия измерения прямого напряженияIF=10mA
Reverse current test conditionVR=6V
Output collector emitter voltage80V
Output emitter collector voltage7V
Collector emitter reverse current100nA
Saturation voltage test conditionIF=20mA, IC=2mA
Output collector power dissipation150mW
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер80V
Emitter collector breakdown voltage7V
Isolation resistance test conditionV=500V
Количество каналов1
Isolation capacitance test conditionV=0V, F=1MHz
Collector emitter reverse current max100nA
Collector emitter breakdown test conditionIC=0.1mA
Emitter collector breakdown test conditionIE=0.1mA
Output collector emitter breakdown voltage80V
Output emitter collector breakdown voltage7V
Collector emitter reverse current test conditionVCE=20V

Заметили ошибку в описании или параметрах?