Документация
Оптопара с транзисторным выходом 80В 50мА напряжение изоляции 3750В SOP4L коэффициент передачи 130-260
У поставщика
ПроизводительHualian
У поставщиков
10 599 шт.
Норм. уп.: 300
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:7 999 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 92 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 7,59 |
| от 148 | 6,99 |
| от 295 | 6,37 |
| от 590 | 5,80 |
| от 1 179 | 5,36 |
Склад 12
В наличии:2 600 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 300
Минимальная партия: 3000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 8,28 |
| от 300 | 6,36 |
| от 3 000 | 5,76 |
Описание
Оптопара HPC217B от Hualian с транзисторным выходом. Выдерживает напряжение до 80 В и ток до 50 мА, изоляция 3750 В. Корпус SOP-4 для поверхностного монтажа, коэффициент передачи 130–260. Подходит для гальванической развязки в промышленной автоматике и блоках питания.
Технические характеристики
| ЭСР HBM | ≥2kV |
| Корпус | SOP-4 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 7μs typ, 18μs max |
| Уровень MSL | 1 |
| Кол-во выводов | 4 |
| Время нарастания | 4μs typ, 18μs max |
| Размеры | See datasheet Figure 4 |
| Описание | Photo-transistor Output Opto-coupler |
| Артикул | HPC217B |
| Срок хранения | 1 year |
| Время хранения | 20μs |
| Время включения | 5μs |
| Макс. время спада | 18μs |
| Тип. время спада | 7μs |
| Макс. время нарастания | 18μs |
| Тип. время нарастания | 4μs |
| Время выключения | 60μs |
| Соотв. RoHS | Да |
| Прямое напряжение | 1.1V min, 1.2V typ, 1.3V max |
| REACH | Да |
| Обратный ток | 10μA max |
| Storage time typ | 20μs |
| Время включения тип. | 5μs |
| Вх. емкость | 30pF |
| Напр. изоляции | 3750Vrms |
| Plating thickness | ≥5μm |
| Время выкл. тип. | 60μs |
| Saturation voltage | 0.4V max |
| Макс. прямое напряжение | 1.3V |
| Мин. прямое напряжение | 1.1V |
| Типовое прямое напряжение | 1.2V |
| Макс. обратный ток | 10μA |
| Сопр. изоляции | 10^12 to 10^14 Ω |
| Input forward current | 50mA |
| Input reverse voltage | 5V |
| Емк. изоляции | 0.8pF |
| Current transfer ratio | 130-260% |
| Lead plating thickness | ≥5μm |
| Макс. напряж. насыщения | 0.4V |
| Рассеиваемая мощность входа | 100mW |
| Общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Output collector current | 50mA |
| Вх. ток макс. | 50mA |
| Обр. напр. вх. макс. | 5V |
| Температура пайки макс. | 260°C (10s) |
| Диап. темп. хр. | -55 to 125°C |
| Коэф. передачи макс. | 260% |
| Мин. коэфф. передачи тока | 130% |
| Input junction temperature | 125°C |
| Макс. рассеиваемая мощность входа | 100mW |
| Диап. раб. темп. | -55 to 110°C |
| Output junction temperature | 125°C |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Input forward current pulsed | 1A |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 150mW |
| Recommended storage humidity | <60% |
| Reflow soldering temperature | 260°C (10 seconds) |
| Описание (англ.) | Photo-transistor Output Opto-coupler 80V 50mA 3750Vrms 1.27SOP 4L CTR 130-260 |
| Input forward pulse current max | 1A |
| Recommended storage temperature | 0~40°C |
| Collector emitter leakage current | 100nA |
| Output collector power dissipation | 150mW |
| Количество каналов | 1 |
| Макс. Uкэ | 80V |
| Макс. Uэк | 7V |
| Collector emitter leakage current max | 100nA |
| Current transfer ratio test condition | IF=5mA, VCE=5V |
| Output collector emitter breakdown voltage | 80V |
| Output emitter collector breakdown voltage | 7V |
| При входном токе Iвх.,мА | 50 |
| Коэффициент передачи тока CTR,%, макс. | 130 |
| Максимальное выходное коммутируемое напряжение Uвых.ком.макс.,В | 80 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?