Документация
Оптопара с транзисторным выходом 80В 50мА напряжение изоляции 3750В SOP4L коэффициент передачи 80-160
У поставщика
ПроизводительHualian
У поставщиков
11 425 шт.
Норм. уп.: 300
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:9 100 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 300
Минимальная партия: 3000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 8,28 |
| от 300 | 7,44 |
Склад 13
В наличии:2 325 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 84 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 8,28 |
| от 368 | 7,28 |
| от 735 | 6,47 |
| от 1 469 | 5,81 |
| от 3 000 | 5,38 |
Описание
Оптопара с транзисторным выходом от Hualian. Выдерживает напряжение до 80 В и ток до 50 мА, изоляция 3750 В. Выпускается в компактном корпусе SOP-4 для поверхностного монтажа с коэффициентом передачи 80–160. Подходит для гальванической развязки в промышленной автоматике и блоках питания.
Технические характеристики
| ЭСР HBM | ≥2kV |
| Корпус | SOP4L |
| Тип монтажа | SMD |
| Уровень MSL | 1 |
| Размеры | см. технический паспорт |
| Шаг выводов | 1.27mm |
| Описание | Photo-transistor output optocoupler |
| Esd hbm min | 2kV |
| Артикул | HPC217A |
| Тип упаковки | Plastic surface mount |
| Корпус | SOP-4 |
| Макс. время спада | 18µs |
| Тип. время спада | 7µs |
| Макс. время нарастания | 18µs |
| Тип. время нарастания | 4µs |
| Storage time typ | 20µs |
| Время включения тип. | 5µs |
| Тип. время спада | 7µs |
| Вх. емкость | 30pF |
| Напр. изоляции | 3750Vrms |
| Тип. время нарастания | 4µs |
| Время выкл. тип. | 60µs |
| Ctr test condition | IF=5mA, VCE=5V |
| Tape reel quantity | 3000pcs |
| Типовое прямое напряжение | 1.2V |
| Макс. обратный ток | 10µA |
| Storage time typical | 20µs |
| Turn on time typical | 5µs |
| Forward voltage range | 1.1~1.3V |
| Тип. входная емкость | 30pF |
| Емк. изоляции | 0.8pF |
| Время оплавления | 10s |
| Turn off time typical | 60µs |
| Макс. напряж. насыщения | 0.4V |
| Макс. темп. хр. | 125°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Isolation resistance max | 1e14Ω |
| Сопротивление изоляции мин. | 1e12Ω |
| Вх. ток макс. | 50mA |
| Макс. прямое вх. напр. | 1.3V |
| Input reverse current max | 10µA |
| Обр. напр. вх. макс. | 5V |
| Типовая изоляционная емкость | 0.8pF |
| Макс. раб. темп. | 110°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Packing quantity per reel | 3000pcs |
| Диап. темп. хр. | -55~125°C |
| Isolation resistance range | 10^12~10^14Ω |
| Lead plating thickness min | 5µm |
| Макс. ток утечки | 100nA |
| Макс. рассеиваемая мощность входа | 100mW |
| Диап. раб. темп. | -55~110°C |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Current transfer ratio range | 80~160% |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Reflow soldering temperature | 260°C (10s) |
| Описание (англ.) | Photo-transistor Output 80V 50mA 3750Vrms 1.27SOP 4L CTR 80-160 |
| Input forward voltage typical | 1.2V |
| Input junction temperature max | 125°C |
| Input forward pulse current max | 1A |
| Output junction temperature max | 125°C |
| Input forward current pulsed max | 1A |
| Reflow soldering temperature max | 260°C |
| Output saturation voltage typical | 0.4V |
| Collector emitter leakage current max | 100nA |
| Output current transfer ratio ctr max | 160% |
| Output current transfer ratio ctr min | 80% |
| Output collector power dissipation max | 150mW |
| Output collector emitter breakdown voltage min | 80V |
| Output emitter collector breakdown voltage min | 7V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?