Документация
Оптопара с транзисторным выходом 80В 50мА напряжение изоляции 3750В SOP4L коэффициент передачи 100-400
У поставщика
ПроизводительHualian
У поставщиков
5 075 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:5 075 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 68 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 10,35 |
| от 63 | 9,71 |
| от 126 | 8,94 |
| от 252 | 8,11 |
| от 504 | 7,39 |
Описание
Оптопара Hualian HPC214B2 с транзисторным выходом рассчитана на напряжение до 80 В и ток до 50 мА. Компонент обеспечивает гальваническую развязку 3750 В и имеет коэффициент передачи тока (CTR) от 100 до 400%. Выполнена в компактном корпусе SOP-4. Применяется в промышленной автоматике и блоках питания для изоляции цепей управления.
Технические характеристики
| MSL | MSL1 |
| ЭСР HBM | >=2kV |
| Корпус | SOP-4 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 7us typ, 18us max at VCE=10V, RL=100Ω, IC=2mA |
| Кол-во выводов | 4 |
| Время нарастания | 4us typ, 18us max at VCE=10V, RL=100Ω, IC=2mA |
| Описание | Photo-transistor output optocoupler |
| Артикул | HPC214B2 |
| Время хранения | 20us at VCC=5V, IF=16mA, RL=1.9kΩ |
| Время включения | 5us at VCC=5V, IF=16mA, RL=1.9kΩ |
| Package pitch | 1.27mm |
| Время выключения | 60us at VCC=5V, IF=16mA, RL=1.9kΩ |
| Ток коллектора | 50mA |
| Напр. изоляции | 3750Vrms |
| Условия хранения | 0-40C, <60%RH, 1 year |
| Ctr test condition | IF=1mA, VCE=5V |
| Saturation voltage | 0.4V at IF=20mA, IC=2mA |
| Темп. хранения | -55 to 125C |
| Сопр. изоляции | 1e12-1e14Ω at V=500V |
| Темп. перехода | 125C |
| Input forward current | 50mA |
| Input forward voltage | 1.2V typ, 1.3V max at IF=10mA |
| Емк. изоляции | 0.8pF at V=0V, f=1MHz |
| Раб. температура | -55 to 110C |
| Current transfer ratio | 100-400% |
| Рассеиваемая мощность входа | 100mW |
| Общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Профиль оплавления | peak 260C, time above 217C 60-100s, max 3 times |
| Manual soldering condition | 360C±5C, <=3s, <=2 times |
| Мощн. коллектора | 150mW |
| Input forward current pulsed | 1A |
| Описание (англ.) | Photo-transistor Output 80V 50mA 3750Vrms 1.27SOP 4L CTR 100-400 |
| Isolation voltage test condition | AC, 60 seconds, RH<60% |
| Collector emitter leakage current | 100nA at VCE=20V |
| Пиковая температура оплавления | 260C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 80V |
| Emitter collector breakdown voltage | 7V |
| Input forward current pulse conditions | pulse width <=100us, frequency 100Hz |
Заметили ошибку в описании или параметрах?