Документация
Транзистор силовой HGTP12N60C3D
Нет в наличии
Описание
Транзистор силовой IGBT с обратным диодом от ON Semiconductor. Выполнен в корпусе TO-220AB для монтажа в отверстия, рассчитан на напряжение до 600 В и постоянный ток коллектора до 24 А. Подходит для импульсных источников питания, сварочных инверторов и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
| Бренд | 12N60C3D |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | THT |
| Артикул | HGTP12N60C3D |
| Fall time 150c | 210ns |
| Снижение мощности | 0.83W/°C |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -40°C |
| Импульсный ток коллектора | 96A |
| Current diode average 110c | 12A |
| Gate emitter voltage pulsed | ±30V |
| Power dissipation total 25c | 104W |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 600V |
| Lead soldering temperature max | 260°C |
| Gate emitter voltage continuous | ±20V |
| Current collector continuous 25c | 24A |
| Current collector continuous 110c | 12A |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -40°C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 600V |
| Short circuit withstand time vge 10v | 13µs |
| Short circuit withstand time vge 15v | 4µs |
| Collector emitter leakage current 25c | 250µA |
| Collector emitter leakage current 150c | 2.0mA |
| Collector emitter saturation voltage 25c | 2.0V |
| Collector emitter saturation voltage 150c | 2.0V |