Документация
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 21 А, 167 Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
170 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:170 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 309,97 |
| от 8 | 291,66 |
| от 16 | 276,74 |
| от 30 | 265,64 |
| от 90 | 257,38 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT HGTG5N120BND от ON Semiconductor рассчитан на напряжение 1200 В и ток до 21 А при мощности 167 Вт. Компонент выполнен в прочном корпусе TO-247. Подходит для применения в импульсных источниках питания, силовых преобразователях и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Бренд | 5N120BND |
| Diode | Anti-parallel hyperfast diode |
| Корпус | TO-247 |
| Напряжение, В | 1200 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Технология | Non-Punch Through (NPT) IGBT |
| Описание | NPT N-Channel IGBT with anti-parallel hyperfast diode |
| Артикул | HGTG5N120BND |
| Производитель | Fairchild Semiconductor / ON Semiconductor |
| Switching soa | 30A at 1200V, TJ=150°C |
| Current pulsed | 40A |
| Снижение мощности | 1.33W/°C |
| Diode part number | RHRD6120 |
| Igbt development type | TA49308 |
| Power dissipation tc25 | 167W |
| Current continuous tc25 | 21A |
| Fall time typical tj150 | 175ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Current continuous tc110 | 10A |
| Alternate part number hgtp | HGTP5N120BND (TO-220AB) |
| Температура пайки выводов | 300°C (10s, 0.063in from case) |
| Gate emitter voltage pulsed | ±30V |
| Описание (англ.) | IGBT 1200V 21A 167W TO247 |
| Collector emitter voltage bvces | 1200V |
| Gate emitter voltage continuous | ±20V |
| Package body soldering temperature | 260°C (10s) |
| Short circuit withstand time vge12 | 15µs |
| Short circuit withstand time vge15 | 8µs |
| Operating and storage junction temperature | -55 to 150°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?