Документация
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
275 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:275 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 416,35 |
| от 11 | 395,30 |
| от 22 | 378,59 |
| от 60 | 363,89 |
| от 90 | 353,96 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от ON Semiconductor. Рассчитан на напряжение 1200 В, ток до 43 А и мощность 298 Вт, выпускается в корпусе TO-247. Подходит для мощных импульсных источников питания, преобразователей частоты и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Описание (англ.) | IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
| Тип монтажа | Выводной |
Заметили ошибку в описании или параметрах?