Документация
HFP4N60, Транзистор N-канал 600В 4А TO-220 (=IRFBC30PBF)
У поставщика
ПроизводительSEMIHOW
У поставщиков
460 шт.
Норм. уп.: 200
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:460 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 200
Минимальная партия: 2000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 18,63 |
| от 200 | 16,91 |
Описание
Транзистор N-канальный MOSFET HFP4N60 от SEMIHOW в корпусе TO-220 для монтажа в отверстия. Рассчитан на напряжение 600 В и постоянный ток стока 4 А, импульсный ток до 16 А при рассеиваемой мощности 110 Вт. Отличается быстрым переключением с типовым временем включения 19 нс. Подходит для импульсных блоков питания, преобразователей напряжения и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | THT |
| Артикул | HFP4N60 |
| Корпус | TO-220-3 |
| Макс. время включения | 48ns |
| Время включения тип. | 19ns |
| Лавинный ток | 4A |
| Структура | N-канал |
| Power derate factor | 0.88W/°C |
| Drain current pulsed | 16A |
| Test conditions note | Pulse test, Tj=25°C unless noted |
| Тип. заряд затвор-сток | 2.8nC |
| Входная емкость макс. | 500pF |
| Тип. входная емкость | 380pF |
| Мощн. рас. 25°C | 110W |
| Заряд затвора макс. | 11nC |
| Тип. заряд затвора | 8.5nC |
| Turn on rise time max | 48ns |
| Turn on rise time typ | 19ns |
| Тип. заряд затвор-исток | 2.1nC |
| Макс. выходная емкость | 60pF |
| Выходная емкость тип. | 45pF |
| Turn off fall time max | 54ns |
| Turn off fall time typ | 22ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Макс. время выключения | 80ns |
| Время задержки выкл. тип. | 35ns |
| Макс. напряжение сток-исток | 600V |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.5V/ns |
| Тип. время восст. | 240ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Энергия лавины | 11mJ |
| Тип. заряд восст. | 1.4µC |
| Drain current continuous 25c | 4A |
| Forward transconductance typ | 2.2S |
| Drain current continuous 100c | 2.5A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 600V |
| Макс. Rси вкл. | 3.2Ω |
| Drain source on resistance typ | 2.6Ω |
| Single pulsed avalanche energy | 70mJ |
| Reverse transfer capacitance max | 8.5pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 6.5pF |
| Тип. тепловое сопротивление корпус-радиатор | 0.5°C/W |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.15°C/W |
| Zero gate voltage drain current 25c | 10µA |
| Zero gate voltage drain current 125c | 100µA |
| Drain source diode forward voltage max | 1.4V |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Диапазон раб. и темп. хранения | -55 to +150°C |
| Pulsed drain source diode forward current | 16A |
| Continuous drain source diode forward current | 4A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?