+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
HEF4082BT,652
Документация

Логический элемент КМОП И 2 х 4, SO14

Артикул:767564
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияМикросхемы
У поставщиков
374 шт.
Норм. уп.: 57
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:374 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 57
Минимальная партия: 102 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 17,35
от 476,77
от 1146,16
от 1715,70
от 3425,32
Описание

Логический элемент HEF4082BT от NEXPERIA — это КМОП-микросхема, реализующая функцию «И» с двумя элементами и четырьмя входами. Выполнена в компактном корпусе SO14. Подходит для построения цифровых схем в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
Ширина4.0mm
ESD (мм)>200V
Длина8.75mm
ЭСР HBM>2000V
КорпусSO14
ФункцияAND
Тип монтажаSMD
Размах выводов6.2mm
Кол-во выводов14
Ширина корпуса3.9mm
СоответствиеJEDEC JESD 13-B
Макс. высота1.75mm
Lead angle8°
Шаг выводов1.27mm
Ширина вывода0.49mm
ОписаниеDual 4-input AND gate
Длина вывода1.0mm
АртикулHEF4082BT
Логическое семействоCMOS
ПроизводительNexperia
Толщина вывода0.25mm
Число затворов2
Версия корпусаSOT108-1
Standoff height0.25mm
Макс. вх. напр.VDD
Мин. входное напряжение0V
Макс. ток питания50mA
Макс. напр. пит.15.0V
Мин. напр. пит.3.0V
Temperature grades-40°C to +85°C and -40°C to +125°C
Тип. входная емкость7.5pF
Supply current 5v max7.5µA
Supply current 10v max15.0µA
Supply current 15v max30.0µA
Макс. темп. хр.+150°C
Мин. темп. хр.-65°C
Тип упаковкиTube (туба)
Input output current max±10mA
Propagation delay 5v max125ns
Propagation delay 5v typ65ns
Макс. ток утечки входа±1.0µA
Number of inputs per gate4
Макс. раб. темп.+125°C
Мин. раб. темп.-40°C
Propagation delay 10v max60ns
Propagation delay 10v typ30ns
Propagation delay 15v max45ns
Propagation delay 15v typ25ns
Input clamping current max±10mA
Абс. макс. вх. напр.VDD+0.5V
Input voltage absolute min-0.5V
Power dissipation derating10.1mW/K above 100°C
Output clamping current max±10mA
Power dissipation total max500mW
Абс. макс. напряжение питания18V
Supply voltage absolute min-0.5V
Dynamic power dissipation 5v1500 × fi + Σ(fo × CL) × VDD² µW
Описание (англ.)AND Gate 2-Element 4-IN CMOS 14-Pin SO Bulk
Dynamic power dissipation 10v6700 × fi + Σ(fo × CL) × VDD² µW
Dynamic power dissipation 15v16800 × fi + Σ(fo × CL) × VDD² µW
Output transition time 5v max120ns
Output transition time 5v typ60ns
Low level input voltage 5v max1.5V
Output transition time 10v max60ns
Output transition time 10v typ30ns
Output transition time 15v max40ns
Output transition time 15v typ20ns
High level input voltage 5v min3.5V
Low level input voltage 10v max3.0V
Low level input voltage 15v max4.0V
Low level output current 5v min0.64mA
Low level output voltage 5v max0.05V
High level input voltage 10v min7.0V
High level input voltage 15v min11.0V
High level output current 5v min-1.7mA
High level output voltage 5v min4.95V
Low level output current 10v min1.6mA
Low level output current 15v min4.2mA
Low level output voltage 10v max0.05V
Low level output voltage 15v max0.05V
Power dissipation per output max100mW
High level output current 10v min-1.6mA
High level output current 15v min-4.2mA
High level output voltage 10v min9.95V
High level output voltage 15v min14.95V
High level output current 5v 4 6v min-0.64mA
Input transition rise fall rate 5v max3.75ns/V
Input transition rise fall rate 10v max0.5ns/V
Input transition rise fall rate 15v max0.08ns/V

Заметили ошибку в описании или параметрах?