+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
HEF4001BT SO14 NXP микросхема (арт. 011727)
Документация

HEF4001BT SO14 NXP микросхема (арт. 011727)

Артикул:741501
У поставщика
ПроизводительNXP
У поставщиков
4 900 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:4 900 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 2500
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 113,26
Описание

HEF4001BT — это микросхема (логический элемент) от NXP, выполненная в корпусе SO14. Представляет собой четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ, входящих в серию HEF4000. Применяется для построения цифровых схем общего назначения, устройств управления и обработки сигналов, отличается низким энергопотреблением и широким диапазоном питающих напряжений.

Технические характеристики
ТипЛогический вентиль
КорпусSO14 (SOT108-1)
Vih min3.5V (VDD=5V), 7.0V (VDD=10V), 11.0V (VDD=15V)
Vil max1.5V (VDD=5V), 3.0V (VDD=10V), 4.0V (VDD=15V)
Voh min4.95V (VDD=5V), 9.95V (VDD=10V), 14.95V (VDD=15V)
Vol max0.05V (VDD=5V,10V,15V)
ФункцияNOR
Тип монтажаSMD
ОписаниеQuad 2-input NOR gate
АртикулHEF4001BT
Логическое семействоHEF4001B
ПроизводительNXP
КорпусSO14
МонтажSMD
Inputs per gate2
Число затворов4
Низкий выходной ток0.5mA (typ, VDD=5V, VOL=0.4V)
Макс. ток питания30µA (VDD=15V, 125°C)
Макс. напр. пит.15V
Мин. напр. пит.3V
Output current high-0.5mA (typ, VDD=5V, VOH=4.6V)
Ток питания типовой1µA (VDD=15V, 25°C)
Макс. темп. хр.+150°C
Мин. темп. хр.-65°C
Типовая входная емкость7.5pF
Макс. ток утечки входа±1µA
Макс. раб. темп.+125°C
Мин. раб. темп.-40°C
Макс. напряжение питания18V
Макс. общая рассеиваемая мощность500mW
Output transition time typical60ns (VDD=5V)
Power dissipation per output max100mW
Propagation delay typical at 10V25ns (tPHL), 25ns (tPLH)
Propagation delay typical at 15V20ns (tPHL), 20ns (tPLH)
Dynamic power dissipation formulaP_D = 1100*f_i + Σ(f_o*C_L)*V_DD^2 µW (VDD=5V)
Input transition rise fall rate max3.75µs/V (VDD=5V), 0.5µs/V (VDD=10V), 0.08µs/V (VDD=15V)
Propagation delay high to low typical60ns (VDD=5V)
Propagation delay low to high typical50ns (VDD=5V)