Документация
HEF4001BT SO14 NXP микросхема (арт. 011727)
У поставщика
ПроизводительNXP
КатегорияЛогические - Вентили и Инверторы
У поставщиков
7 400 шт.
Норм. уп.: 2500
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 29срок до 10 дн.
Цена за шт12,64 ₽
Сумма31 600,00 ₽
В наличии7 400 шт
заказ со склада от 3 000,00 ₽упаковка 2 500 штюрлицам и ИП
Заказ со склада «Склад 29» с этой позицией — 31 600,00 ₽: минимальная сумма склада набрана.
2 500 шт · Склад 29 · 31 600,00 ₽
Описание
HEF4001BT — это микросхема (логический элемент) от NXP, выполненная в корпусе SO14. Представляет собой четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ, входящих в серию HEF4000. Применяется для построения цифровых схем общего назначения, устройств управления и обработки сигналов, отличается низким энергопотреблением и широким диапазоном питающих напряжений.
Технические характеристики
| Тип | Логический вентиль |
| Корпус | SO14 (SOT108-1) |
| Входное напряжение высокого уровня, мин. | 3.5V (VDD=5V), 7.0V (VDD=10V), 11.0V (VDD=15V) |
| Макс. входное напряжение низкого уровня | 1.5V (VDD=5V), 3.0V (VDD=10V), 4.0V (VDD=15V) |
| Выходное напряжение высокого уровня мин. | 4.95V (VDD=5V), 9.95V (VDD=10V), 14.95V (VDD=15V) |
| Макс. напряжение | 0.05V (VDD=5V,10V,15V) |
| Функция | NOR |
| Тип монтажа | SMD |
| Описание | Quad 2-input NOR gate |
| Артикул | HEF4001BT |
| Логическое семейство | HEF4001B |
| Производитель | NXP |
| Входов на вентиль | 2 |
| Число затворов | 4 |
| Низкий выходной ток | 0.5mA (typ, VDD=5V, VOL=0.4V) |
| Макс. ток питания | 30µA (VDD=15V, 125°C) |
| Макс. напр. пит. | 15V |
| Мин. напр. пит. | 3V |
| Выходной ток высокого уровня | -0.5mA (typ, VDD=5V, VOH=4.6V) |
| Ток питания типовой | 1µA (VDD=15V, 25°C) |
| Макс. темп. хр. | +150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Типовая входная емкость | 7.5pF |
| Макс. ток утечки входа | ±1µA |
| Макс. раб. темп. | +125°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Макс. напряжение питания | 18V |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 500mW |
| Output transition time typical | 60ns (VDD=5V) |
| Power dissipation per output max | 100mW |
| Propagation delay typical at 10V | 25ns (tPHL), 25ns (tPLH) |
| Propagation delay typical at 15V | 20ns (tPHL), 20ns (tPLH) |
| Dynamic power dissipation formula | P_D = 1100*f_i + Σ(f_o*C_L)*V_DD^2 µW (VDD=5V) |
| Макс. скорость нарастания/спада входного сигнала | 3.75µs/V (VDD=5V), 0.5µs/V (VDD=10V), 0.08µs/V (VDD=15V) |
| Propagation delay high to low typical | 60ns (VDD=5V) |
| Propagation delay low to high typical | 50ns (VDD=5V) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?