Документация
HCS80R380R, Транзистор N-канал 800В 14А TO-220F (=STF15N80K5)
У поставщика
ПроизводительSEMIHOW
У поставщиков
380 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:380 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 103,50 |
| от 100 | 73,59 |
| от 1 000 | 68,48 |
Описание
SEMIHOW HCS80R380R — N-канальный Super Junction MOSFET в корпусе TO-220F. Рабочее напряжение 800 В, импульсный ток до 42 А, малое время переключения. Применяется в импульсных блоках питания и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Super Junction MOSFET |
| Макс. заряд затвора | 23nC |
| Тип. заряд затвора | 18nC |
| Tf тип. | 23ns |
| Tr тип. | 22ns |
| Корпус | TO-220F |
| Qgd тип. | 8.0nC |
| Qgs тип. | 4.2nC |
| Qrr тип. | 4.5μC |
| Trr тип. | 345ns |
| Макс. Vds | 800V |
| Макс. Vgs | ±30V |
| Тип. Ciss | 790pF |
| Coss тип. | 62pF |
| Тип. Crss | 7pF |
| Igss макс. | ±100nA |
| Тип монтажа | THT |
| V sd max | 1.5V |
| Bvdss min | 800V |
| Ток стока импульсный | 42A |
| Кол-во выводов | 3 |
| Td(вкл) тип. | 29ns |
| Rds(вкл) макс. | 0.38Ω |
| Rds(вкл) тип. | 0.34Ω |
| Td(выкл) тип. | 79ns |
| Vgs порог макс. | 4.5V |
| Vgs порог мин. | 2.5V |
| Артикул | HCS80R380R |
| Pd max tc25 | 32W |
| Макс. IDSS при 25°C | 10μA |
| Корпус | TO-220F |
| Idss max 150c | 100μA |
| Id continuous tc25 | 14A |
| Структура | N-канал |
| Ciss test condition | Vds=100V, Vgs=0V, f=1MHz |
| Coss test condition | Vds=100V, Vgs=0V, f=1MHz |
| Crss test condition | Vds=100V, Vgs=0V, f=1MHz |
| Id continuous tc100 | 8.9A |
| Idss test condition | Vds=800V, Vgs=0V |
| Igss test condition | Vgs=±30V, Vds=0V |
| Lead soldering time | 5s |
| Reverse diode dv dt | 15V/ns |
| V sd test condition | Is=14A, Vgs=0V |
| Bvdss test condition | Vgs=0V, Id=250μA |
| Ширина корпуса | 4.70±0.20mm |
| Rds on test condition | Vgs=10V, Id=7A |
| Vgs th test condition | Vds=Vgs, Id=250μA |
| Высота корпуса | 9.57±0.20mm |
| Длина корпуса | 10.16±0.20mm |
| Dimensions lead spacing | 2.54mm typ |
| Fom rds on times qg typ | 6.84Ω·nC |
| Mosfet dv dt ruggedness | 50V/ns |
| Avalanche test condition | Ias=3.4A, Vdd=50V, Rg=25Ω, Tj=25°C |
| Dimensions lead diameter | 0.80±0.20mm |
| Switching test condition | Vds=400V, Id=14A, Rg=25Ω |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Gate charge test condition | Vds=640V, Id=14A, Vgs=10V |
| Diode recovery test condition | Is=7A, Vgs=0V, diF/dt=100A/μs |
| Энергия одиноч. импульса | 490mJ |
| Lead soldering temperature max | 300°C |
| Source drain diode pulsed current | 42A |
| Source drain diode continuous current | 14A |
| Junction to case thermal resistance max | 3.9°C/W |
| Junction to ambient thermal resistance max | 62.5°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?