Документация
HCD80R1K4E, [D-PAK] Транзистор MOSFET 800В 4А 1,4 Rds (=FCD1300N80Z, STD5N80K5, IPD80R1K4P7ATMA1)
У поставщика
ПроизводительSEMIHOW
У поставщиков
3 200 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:3 200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 23,03 |
| от 50 | 23,03 |
Описание
Транзистор MOSFET от SEMIHOW с технологией Super Junction. Работает при напряжении 800 В и токе до 4 А, рассеивает до 37 Вт. Корпус D-PAK (TO-252AA) для поверхностного монтажа. Подходит для импульсных блоков питания и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Корпус | D-PAK (TO-252L) |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | Super Junction MOSFET |
| Корпус | DPAK(TO-252AA) |
| Тип. время спада | 16ns |
| Тип. время нарастания | 17ns |
| Reverse diode dv dt | 4V/ns |
| Current drain pulsed | 12A |
| Тип. заряд затвор-сток | 1.8nC |
| Тип. входная емкость | 385pF |
| Мощн. рас. 25°C | 37W |
| Заряд затвора макс. | 8.5nC |
| Тип. заряд затвора | 6.5nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 2.0nC |
| Выходная емкость тип. | 25pF |
| Время задержки вкл. тип. | 21ns |
| Mosfet dv dt ruggedness | 50V/ns |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Время задержки выкл. тип. | 25ns |
| Voltage gate source max | ±30V |
| Voltage drain source max | 800V |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Тип. время восст. | 214ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.5V |
| Тип. заряд восст. | 1.6μC |
| Current drain continuous 25c | 4.0A |
| Current drain continuous 100c | 2.5A |
| Энергия одиноч. импульса | 140mJ |
| Макс. Rси вкл. | 1.4Ω |
| Drain source on resistance typ | 1.1Ω |
| Обр. проходная емкость тип. | 4.8pF |
| Source drain forward voltage max | 1.3V |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 800V |
| Source drain forward current pulsed | 12A |
| Thermal resistance junction case max | 3.4°C/W |
| Source drain forward current continuous | 4A |
| Thermal resistance junction ambient min pad | 110°C/W |
| Thermal resistance junction ambient 1in2 pad | 50°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?