Документация
GT55N06D5, Транзистор N канал 60В, 45А, 70Вт DFN 5X6-8L
У поставщика
ПроизводительGOFORD
У поставщиков
43 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:43 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 30,02 |
| от 100 | 28,41 |
Описание
Транзистор N-канальный GT55N06D5 от GOFORD. Выполнен в компактном корпусе DFN 5x6-8L для поверхностного монтажа, рассчитан на напряжение 60 В, ток до 45 А и мощность 70 Вт. Благодаря технологии Trench и низкому сопротивлению открытого канала (9 мОм) подходит для синхронного выпрямления в DC/DC и AC/DC преобразователях, а также для промышленных и моторных приводов.
Технические характеристики
| Бренд | GOFORD |
| Маркировка | GT55N06 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-Channel |
| Время спада | 8ns |
| Время нарастания | 4.5ns |
| Размеры | 4.8-5.4 x 5.59-6.15 x 1.03-1.17 mm |
| Технология | Trench |
| Vgs порог макс. | 2.5V |
| Vgs порог мин. | 1.0V |
| Vgs(th) тип. | 1.7V |
| Артикул | GT55N06D5 |
| Применение | Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters, Industrial and Motor Drive applications |
| Тип упаковки | DFN5X6-8L |
| Корпус | DFN5X6-8L |
| Esd capability | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Gate resistance | 1.6Ω |
| Avalanche energy | 40mJ |
| Rds on max at 10v | 9mΩ |
| Rds on typ at 10v | 7mΩ |
| Gate charge qg 10v | 31nC |
| Rds on max at 4 5v | 13mΩ |
| Rds on typ at 4 5v | 10mΩ |
| Время задержки включения | 10.5ns |
| Структура | N-канал |
| Gate charge qg 4 5v | 16nC |
| Время задержки выключения | 29.5ns |
| Импульсный ток стока | 110A |
| Gate drain charge qgd | 5nC |
| Время обратного восстановления | 17ns |
| Gate source charge qgs | 6nC |
| Input capacitance ciss | 1988pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Output capacitance coss | 470pF |
| Заряд обратного восстановления | 58nC |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Power dissipation ta 25c | 70W |
| Power dissipation ta 70c | 28W |
| Напр. диода макс. | 0.99V |
| Тип. прямое напряжение диода | 0.85V |
| Body diode continuous current | 53A |
| Continuous drain current ta 25c | 53A |
| Continuous drain current ta 100c | 34A |
| Reverse transfer capacitance crss | 14pF |
| Thermal resistance junction to case steady state max | 1.8°C/W |
| Thermal resistance junction to case steady state min | 1.3°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady state max | 55°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady state min | 40°C/W |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 45 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?