Документация
Оптический датчик на прерывание
У поставщика
ПроизводительSharp
КатегорияДатчики оптические, датчики света
У поставщиков
970 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:970 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 46,86 |
| от 43 | 43,02 |
| от 100 | 39,87 |
| от 200 | 37,50 |
| от 400 | 35,73 |
Описание
Оптический датчик на прерывание от Sharp. Работает на просвет с зазором 2 мм, использует фотодиод и фототранзистор. Компактный 4-выводной корпус поставляется в тубе. Подходит для детекции положения в принтерах, бытовой технике и промышленных механизмах.
Технические характеристики
| Дата | Jun. 30. 2005 |
| Цоколевка | 1: Anode; 2: Collector; 3: Emitter; 4: Cathode |
| Компонент | GP1S097HCZ0F |
| Gap width | 2mm |
| Материалы | Корпус: Black polyphenylene sulfide resin (UL94 V-0); Lead frame: 42Alloy; Lead frame plating: SnCu plating (Cu: TYP. 2%) |
| Соответствие | RoHS: Соответствует; Сертификаты: RoHS directive |
| Описание | Compact Transmissive Photointerrupter with Phototransistor Output |
| Применение | General purpose detection of object presence or motion, Printer, Lens control for camera |
| Product mass | 0.07g |
| Sheet number | D3-A01201FEN |
| Тип монтажа | THT |
| Кол-во выводов | 4 |
| Описание | Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output Photointerrupter Sub mini 2.0mm gap |
| Страна происхождения | Japan |
| Размеры упаковки | 4.5 x 2.6 x 4.5mm |
| Design considerations | External light: Do not set detecting face to external light; Ired degradation: 50% degradation over 5 years; Opaque board distance: 1.6mm or more from top of elements |
| Optical characteristics | Photo emitter: Тип: Infrared emitting diode (non-coherent); Материал: Gallium arsenide (GaAs); Io frequency: 0.3MHz; Max light emitting wavelength: 950nm; Photodetector: Тип: Phototransistor; Материал: Silicon (Si); Время отклика: 20µs; Max sensitivity wavelength: 930nm; Sensitivity wavelength range: 700 to 1200nm |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Предельные значения | Forward current if: 50mA; Reverse voltage vr: 6V; Ток коллектора Ic: 20mA; Storage temperature tstg: -40 to +100°C; Input power dissipation p: 75mW; Operating temperature topr: -25 to +85°C; Soldering temperature tsol: 260°C for 5s or less; Total power dissipation ptot: 100mW; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 35V; Pк: 75mW; Emitter collector voltage veco: 6V |
| Manufacturing guidelines | Cleaning: Immersion time: 3 minutes or less; Solvent temperature: 45°C or below; Ultrasonic cleaning: Not allowed; Recommended solvents: Ethyl alcohol, Methyl alcohol, Isopropyl alcohol; Flow soldering: Time: 5s or less; Times: 1; Reflow: Not allowed; Preheating: Not allowed; Температура: 260°C; Soldering area: 1mm or more away from bottom of housing; Hand soldering: Time: 3s or less; Примечания: Do not touch terminals directly by soldering iron; Times: 1; Температура: 350°C |
| Slit width detector side | 0.3mm |
| Описание (англ.) | Photointerrupter Transmissive 2mm Phototransistor 4-Pin |
| Electro optical characteristics | Прямое напряжение: Max: 1.4V; Min: 1.2V; Typ: 1.2V; Condition: IF=20mA; Reverse current ir: Max: 10µA; Min: -; Typ: -; Condition: VR=3V; Ток коллектора Ic: Max: 400µA; Min: 100µA; Typ: -; Condition: VCE=5V, IF=5mA; Response time fall tf: Max: 150µs; Min: -; Typ: 50µs; Condition: VCE=5V, IC=100µA, RL=1kΩ; Response time rise tr: Max: 150µs; Min: -; Typ: 50µs; Condition: VCE=5V, IC=100µA, RL=1kΩ; Collector dark current iceo: Max: 100nA; Min: -; Typ: -; Condition: VCE=20V; Collector emitter saturation voltage vce sat: Max: 0.4V; Min: -; Typ: -; Condition: IF=10mA, IC=40µA |
| Корпус | SMD |
| Тип | оптопара |
Заметили ошибку в описании или параметрах?