Документация
GD75HHU120C5SD, IGBT модуль, H Bridge, 1200V, 75A, С5.4
У поставщика
ПроизводительSTARPOWER
У поставщиков
6 шт.
Норм. уп.: 4
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:6 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4
Минимальная партия: 40 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5 692,50 |
| от 4 | 4 957,65 |
| от 40 | 4 812,11 |
Описание
IGBT-модуль STARPOWER GD75HHU120C5SD в конфигурации H-мост. Рассчитан на напряжение 1200 В и ток 75 А (импульсный до 150 А), выполнен в корпусе с изолированным медным основанием на DBC-подложке. Оснащён встроенным NTC-термистором для контроля температуры. Применяется в промышленной автоматике, частотных преобразователях и источниках бесперебойного питания.
Технические характеристики
| Тип | IGBT Module |
| Вес | 200g |
| Корпус | Module (isolated copper baseplate, DBC) |
| Тип монтажа | Screw mount (through-hole) |
| Топология | H-bridge |
| Размеры | See datasheet drawing (mm) |
| Ntc b25 50 | 3375K |
| Ntc b25 80 | 3411K |
| Gate charge | 0.81μC |
| Ntc b25 100 | 3433K |
| Артикул | GD75HHU120C5SD |
| Производитель | STARPOWER |
| Fall time 25c | 156ns |
| Rise time 25c | 37ns |
| Ном. ток | 75A |
| Fall time 125c | 232ns |
| Монтажный винт | M5 |
| Pulsed current | 150A |
| Rise time 125c | 39ns |
| Ном. напряжение | 1200V |
| Момент затяжки | 3.0 to 6.0 N·m |
| Stray inductance | 30nH |
| Вх. емкость | 5.07nF |
| Напр. изоляции | 2500V RMS |
| Рассеиваемая мощность | 565W |
| Ntc resistance 25c | 5.0kΩ |
| Gate leakage current | 400nA |
| Ток КЗ | 450A |
| Module lead resistance | 2.20mΩ |
| Short circuit duration | 10μs |
| Turn on delay time 25c | 63ns |
| Turn off delay time 25c | 278ns |
| Turn on delay time 125c | 67ns |
| Ток отсечки коллектора | 5.0mA |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Internal gate resistance | 2.5Ω |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Turn off delay time 125c | 297ns |
| Диап. темп. хр. | -40 to 125°C |
| Diode recovered charge 25c | 9.0μC |
| Тип. пороговое Uзи | 5.7V |
| Turn on switching loss 25c | 5.68mJ |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Diode recovered charge 125c | 16.2μC |
| Диап. раб. темп. | -40 to 125°C |
| Turn off switching loss 25c | 3.36mJ |
| Turn on switching loss 125c | 7.93mJ |
| Gate threshold voltage range | 4.7V to 6.7V |
| Обратная проходная емкость | 0.31nF |
| Turn off switching loss 125c | 4.77mJ |
| Diode forward voltage typ 25c | 1.70V |
| Diode maximum forward current | 200A |
| Diode forward voltage typ 125c | 1.65V |
| Diode continuous forward current | 100A |
| Diode reverse recovery energy 25c | 3.32mJ |
| Diode reverse recovery energy 125c | 5.70mJ |
| Diode repetitive peak reverse voltage | 1200V |
| Diode peak reverse recovery current 25c | 110A |
| Diode peak reverse recovery current 125c | 120A |
| Thermal resistance case to heatsink igbt | 0.138 K/W |
| Thermal resistance junction to case igbt | 0.221 K/W |
| Thermal resistance case to heatsink diode | 0.190 K/W |
| Thermal resistance junction to case diode | 0.304 K/W |
| Thermal resistance case to heatsink module | 0.020 K/W |
| Collector emitter saturation voltage typ 25c | 2.80V min, 3.25V typ, 3.25V max |
| Collector emitter saturation voltage max 125c | 3.65V max |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?