Документация
IGBT модуль 1200B 300А 2 in one-package
У поставщика
ПроизводительSTARPOWER
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
152 шт.
Норм. уп.: 4
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:150 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4
Минимальная партия: 40 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 10 971,00 |
| от 4 | 10 064,94 |
Склад 13
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4 423,56 |
| от 2 | 4 377,62 |
| от 3 | 4 318,34 |
| от 4 | 4 234,60 |
| от 5 | 4 091,75 |
Описание
IGBT модуль STARPOWER GD300HFY120C6S на 1200 В и 300 А выполнен в формате 2-in-one-package с монтажом на основание через винтовые клеммы. Оснащён встроенным NTC-термистором для контроля температуры, имеет низкую индуктивность 20 нГн и время включения от 57 нс. Применяется в промышленной автоматике, силовых преобразователях и частотных приводах.
Технические характеристики
| Вес | 350g |
| Описание | 1200V/300A IGBT module, 2 in one-package |
| Gate charge | 2.33μC |
| Артикул | GD300HFY120C6S |
| Тип упаковки | модуль |
| Fall time 25c | 206ns |
| Тип монтажа | THT (screw terminals, baseplate mounting) |
| Rise time 25c | 57ns |
| Fall time 125c | 299ns |
| Fall time 150c | 309ns |
| Rise time 125c | 66ns |
| Rise time 150c | 68ns |
| Stray inductance | 20nH |
| Вх. емкость | 31.1nF |
| Ntc b value 25 50 | 3375K |
| Ntc b value 25 80 | 3411K |
| Mounting torque m5 | 3.0-6.0N·m |
| Ntc b value 25 100 | 3433K |
| Ntc resistance 25c | 5.0kΩ |
| Размеры упаковки | Refer to datasheet diagram |
| Gate leakage current | 400nA |
| Recovered charge 25c | 15.5μC |
| Изол. напр. RMS | 2500V |
| Ntc power dissipation | 20.0mW |
| Recovered charge 125c | 31.5μC |
| Recovered charge 150c | 41.2μC |
| Ток КЗ | 1200A |
| Threshold voltage max | 6.8V |
| Threshold voltage min | 5.2V |
| Threshold voltage typ | 6.0V |
| Turn on delay time 25c | 313ns |
| Turn off delay time 25c | 464ns |
| Turn on delay time 125c | 336ns |
| Turn on delay time 150c | 345ns |
| Тип упаковки | Штучный товар |
| Ток отсечки коллектора | 1.0mA |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Internal gate resistance | 2.5Ω |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Turn off delay time 125c | 528ns |
| Turn off delay time 150c | 539ns |
| Тип. прямое напряжение диода | 1.90V |
| Диап. темп. хр. | -40 to +125°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Saturation voltage typ 25c | 1.70V |
| Turn on switching loss 25c | 9.97mJ |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Power dissipation max j175c | 1613W |
| Reverse recovery energy 25c | 8.0mJ |
| Saturation voltage typ 125c | 1.95V |
| Saturation voltage typ 150c | 2.00V |
| Turn off switching loss 25c | 28.6mJ |
| Turn on switching loss 125c | 21.1mJ |
| Turn on switching loss 150c | 25.6mJ |
| Collector current pulsed 1ms | 600A |
| Reverse recovery energy 125c | 13.6mJ |
| Reverse recovery energy 150c | 17.2mJ |
| Обратная проходная емкость | 0.87nF |
| Turn off switching loss 125c | 36.6mJ |
| Turn off switching loss 150c | 37.8mJ |
| Описание (англ.) | IGBT-MODUL, 1.2KV, 480A, 150C, 1.613KW |
| Terminal connection torque m6 | 3.0-6.0N·m |
| Collector current continuous 25c | 480A |
| Diode continuous forward current | 300A |
| Lead resistance terminal to chip | 1.10mΩ |
| Collector current continuous 100c | 300A |
| Diode maximum forward current 1ms | 600A |
| Peak reverse recovery current 25c | 223A |
| Peak reverse recovery current 125c | 290A |
| Peak reverse recovery current 150c | 305A |
| Igbt transient thermal impedance ri | 0.0054K/W, 0.0308K/W, 0.0298K/W, 0.0270K/W |
| Diode transient thermal impedance ri | 0.0081K/W, 0.0445K/W, 0.0432K/W, 0.0392K/W |
| Igbt transient thermal impedance tau | 0.01s, 0.02s, 0.05s, 0.1s |
| Диапазон темп. перехода | -40 to +150°C |
| Diode repetitive peak reverse voltage | 1200V |
| Diode transient thermal impedance tau | 0.01s, 0.02s, 0.05s, 0.1s |
| Thermal resistance case heatsink igbt | 0.030K/W |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.093K/W |
| Thermal resistance case heatsink diode | 0.044K/W |
| Thermal resistance junction case diode | 0.135K/W |
| Thermal resistance case heatsink module | 0.009K/W |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?