Документация
Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ питание 1.65...3.6В 4Мбит -40°С...+85°С 8-Pin SOP (150mil)
У поставщика
ПроизводительGIGADEVICE
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
420 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:250 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 23,41 |
| от 47 | 22,66 |
| от 93 | 21,63 |
| от 185 | 20,33 |
| от 370 | 19,08 |
Склад 12
В наличии:170 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 30,02 |
| от 20 | 24,96 |
Описание
Микросхема флэш-памяти NOR от GigaDevice. Работает при напряжении от 1.65 до 3.6 В, имеет объём 4 Мбит и поддерживает интерфейс SPI (Dual/Quad). Выпускается в компактном корпусе SOP-8 для поверхностного монтажа. Применяется в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Wp pin | Да |
| ЭСР HBM | 2000V |
| Корпус | SOIC-8 |
| Hold pin | Да |
| Latch up | 100mA |
| Тип монтажа | SMD |
| Интерфейс | SPI (Dual/Quad) |
| Размер страницы | 256 bytes |
| Кол-во выводов | 8 |
| Reset pin | Да |
| Unique id | 128-bit |
| Описание | Dual and Quad Serial Flash, Uniform Sector |
| Объем памяти | 4Mbit |
| Тип памяти | NOR Flash |
| Артикул | GD25WQ40ETIGR |
| Sector size | 4KB |
| Архитектура | NOR |
| Организация | 512K x 8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Block size 32k | 32KB |
| Block size 64k | 64KB |
| Сохранение данных | 20 years |
| Макс. температура | +85°C |
| Температура мин. | -40°C |
| Read current max | 15mA |
| Write protection | Software |
| Erase current max | 15mA |
| Вх. емкость | 6pF |
| Выходная емкость | 8pF |
| Security registers | 3 x 256 bytes |
| Макс. напр. пит. | 3.6V |
| Мин. напр. пит. | 1.65V |
| Макс. тактовая частота | 133MHz |
| Erase time chip typ | 3s |
| Program current max | 15mA |
| Макс. ток дежурного режима | 30µA |
| Standby current typ | 10µA |
| Program erase cycles | 100000 |
| Erase time sector typ | 45ms |
| Program time page typ | 0.7ms |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Erase time block 32k typ | 120ms |
| Erase time block 64k typ | 150ms |
| Макс. раб. темп. | +85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Deep power down current max | 5µA |
| Deep power down current typ | 1µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?