Документация
Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ -40°С....+85°С USON8 3х2х0.45мм
У поставщика
ПроизводительGIGADEVICE
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
394 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:394 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 22 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 32,13 |
| от 22 | 31,12 |
| от 44 | 29,72 |
| от 88 | 27,74 |
| от 175 | 25,59 |
Описание
Флэш-память NOR от GIGADEVICE в компактном корпусе USON8 размером 3х2х0.45 мм. Работает в индустриальном диапазоне температур от -40 до +85 °С, поставляется на ленте. Подходит для хранения прошивок и конфигураций в промышленной автоматике и встраиваемых системах.
Технические характеристики
| ЭСР HBM | 2000V |
| Корпус | USON8 |
| Latch up | 100mA |
| Интерфейс | SPI, Dual SPI, Quad SPI |
| Размер страницы | 256 bytes |
| Объем памяти | 8Mbit |
| Тип памяти | NOR Flash |
| Sector size | 4KB |
| Тип монтажа | SMD |
| Block size 32k | 32KB |
| Block size 64k | 64KB |
| Сохранение данных | 20 years |
| Read current max | 15mA |
| Erase current max | 15mA |
| Вх. емкость | 6pF |
| Выходная емкость | 8pF |
| Размеры упаковки | 3x2x0.45mm |
| Макс. напр. пит. | 3.6V |
| Мин. напр. пит. | 2.7V |
| Макс. тактовая частота | 133MHz |
| Erase time chip typ | 10s |
| Организация памяти | 1M x 8 |
| Program current max | 15mA |
| Макс. ток дежурного режима | 30µA |
| Standby current typ | 15µA |
| Erase time block typ | 150ms |
| Program erase cycles | 100000 |
| Erase time sector typ | 45ms |
| Program time page typ | 0.7ms |
| Ном. напряжение питания | 3.3V |
| Макс. темп. хр. | +150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. раб. темп. | +85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Deep power down current max | 5µA |
| Deep power down current typ | 1µA |
| Описание (англ.) | NOR Flash, USON8 3*2*0.45mm, Industrial(-40 to +85) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?