Документация
Модуль IGBT 1200В 25А GD25FFK120C5SP
У поставщика
ПроизводительSTARPOWER
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3 253,68 |
| от 2 | 3 110,99 |
| от 3 | 2 994,77 |
| от 4 | 2 908,50 |
| от 8 | 2 844,33 |
Описание
Модуль IGBT GD25FFK120C5SP от STARPOWER рассчитан на напряжение 1200 В и ток 25 А. Устройство выполнено в компактном корпусе для эффективного отвода тепла. Подходит для применения в промышленной автоматике и силовых преобразователях.
Технические характеристики
| Тип | IGBT Module |
| Вес | 200g |
| Корпус | Module with isolated copper baseplate (DBC) |
| Размеры | See package diagram in datasheet |
| Технология | NPT IGBT |
| Gate charge | 0.26μC |
| Артикул | GD25FFK120C5SP |
| Производитель | STARPOWER |
| Конфигурация | 6 in one-package (three-phase bridge with anti-parallel diodes) |
| Fall time 25c | 317ns |
| Тип монтажа | THT (screw) |
| Rise time 25c | 54ns |
| Fall time 125c | 325ns |
| Монтажный винт | M5, torque 3.0-6.0 N.m |
| Rise time 125c | 74ns |
| Stray inductance | 60nH |
| Capacitance input | 1.65nF |
| Напр. изоляции | 2500V RMS, 50Hz, 1min |
| Turn on energy 25c | 2.67mJ |
| Темп. хранения | -40°C to +125°C |
| Turn off energy 25c | 1.75mJ |
| Turn on energy 125c | 3.70mJ |
| Gate leakage current | 400nA |
| Turn off energy 125c | 1.76mJ |
| Макс. рассеиваемая мощность | 217W |
| Ток КЗ | 225A at V_CC=900V, V_GE=15V, t≤10μs |
| Gate threshold voltage | 5.0V to 6.2V (typ 5.6V) |
| Saturation voltage 25c | 2.05V to 2.50V (typ 2.05V) |
| Switching delay on 25c | 186ns |
| Saturation voltage 125c | 2.40V (typ) |
| Switching delay off 25c | 255ns |
| Switching delay on 125c | 227ns |
| Тип упаковки | Штучный товар |
| Ток отсечки коллектора | 1.0mA |
| Импульсный ток коллектора | 50A (1ms) |
| Internal gate resistance | не указано |
| Switching delay off 125c | 280ns |
| Voltage gate emitter max | ±20V |
| Diode forward voltage 25c | 2.10V to 2.55V (typ 2.10V) |
| Current diode forward peak | 50A (1ms) |
| Diode forward voltage 125c | 2.15V (typ) |
| Diode recovered charge 25c | 1.3μC |
| Diode recovered charge 125c | 3.4μC |
| Capacitance reverse transfer | 0.11nF |
| Макс. температура перехода | 150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 1200V |
| Diode peak reverse current 25c | 22A |
| Рабочая температура перехода | -40°C to +125°C |
| Diode peak reverse current 125c | 23A |
| Current collector continuous 25c | 50A |
| Current diode forward continuous | 25A |
| Lead resistance terminal to chip | 8.00mΩ |
| Current collector continuous 100c | 25A |
| Diode reverse recovery energy 25c | 0.42mJ |
| Diode reverse recovery energy 125c | 1.04mJ |
| Thermal resistance case to heatsink igbt | 0.171 K/W |
| Thermal resistance junction to case igbt | 0.576 K/W |
| Thermal resistance case to heatsink diode | 0.404 K/W |
| Thermal resistance junction to case diode | 1.365 K/W |
| Thermal resistance case to heatsink module | 0.020 K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?