Документация
Модуль IGBT 1200В 200A GD200HFY120C2S
У поставщика
ПроизводительSTARPOWER
У поставщиков
6 шт.
Норм. уп.: 12
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:6 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 12
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5 577,85 |
| от 2 | 5 347,72 |
| от 3 | 5 160,29 |
| от 4 | 5 021,15 |
| от 5 | 4 917,66 |
Описание
Модуль IGBT GD200HFY120C2S от STARPOWER рассчитан на напряжение 1200 В и ток до 309 А. Устройство выдерживает температуру до 150 °C и имеет мощность рассеивания 1,006 кВт. Подходит для мощных преобразователей частоты и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Вес | 300g |
| Корпус | 2 in one-package |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип корпуса | Isolated copper baseplate using DBC technology |
| Технология | Trench IGBT |
| Fall time 25c | 93ns |
| Rise time 25c | 32ns |
| Fall time 125c | 165ns |
| Fall time 150c | 185ns |
| Rise time 125c | 37ns |
| Rise time 150c | 43ns |
| Момент затяжки | 3.0-5.0N.m |
| Stray inductance | 20nH |
| Напр. изоляции | 2500V |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Recovered charge 25c | 17.6μC |
| Collector current 25c | 309A |
| Макс. рас. мощн. | 1006W |
| Recovered charge 125c | 31.8μC |
| Recovered charge 150c | 36.6μC |
| Ток КЗ | 800A |
| Collector current 100c | 200A |
| Module lead resistance | 0.35mΩ |
| Turn on delay time 25c | 150ns |
| Turn off delay time 25c | 330ns |
| Turn on delay time 125c | 161ns |
| Turn on delay time 150c | 161ns |
| Тип упаковки | Штучный товар |
| Ток отсечки коллектора | 1.0mA |
| Internal gate resistance | 4.0Ω |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Pulsed collector current | 400A |
| Short circuit capability | 10μs |
| Turn off delay time 125c | 412ns |
| Turn off delay time 150c | 433ns |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Diode forward voltage 25c | 1.65V |
| Диап. темп. хр. | -40 to +125°C |
| Diode forward voltage 125c | 1.65V |
| Diode forward voltage 150c | 1.65V |
| Terminal connection torque | 2.5-5.0N.m |
| Turn on switching loss 25c | 11.2mJ |
| Reverse recovery energy 25c | 7.7mJ |
| Turn off switching loss 25c | 11.3mJ |
| Turn on switching loss 125c | 19.8mJ |
| Turn on switching loss 150c | 21.9mJ |
| Gate emitter leakage current | 400nA |
| Reverse recovery energy 125c | 13.8mJ |
| Reverse recovery energy 150c | 15.2mJ |
| Turn off switching loss 125c | 17.0mJ |
| Turn off switching loss 150c | 19.1mJ |
| Описание (англ.) | IGBT MOD, 1.2KV, 309A, 150DEG C, 1.006KW |
| Diode maximum forward current | 400A |
| Gate emitter threshold voltage | 5.2V |
| Рабочая температура перехода | -40 to +150°C |
| Diode continuous forward current | 200A |
| Peak reverse recovery current 25c | 228A |
| Peak reverse recovery current 125c | 238A |
| Peak reverse recovery current 150c | 247A |
| Maximum junction temperature rating | 175°C |
| Diode repetitive peak reverse voltage | 1200V |
| Case to heatsink thermal resistance igbt | 0.034K/W |
| Collector emitter saturation voltage 25c | 1.70V |
| Junction to case thermal resistance igbt | 0.149K/W |
| Case to heatsink thermal resistance diode | 0.048K/W |
| Collector emitter saturation voltage 125c | 1.95V |
| Collector emitter saturation voltage 150c | 2.00V |
| Junction to case thermal resistance diode | 0.206K/W |
| Case to heatsink thermal resistance module | 0.010K/W |
| Напряжение, В | 1200 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?