Документация
Модуль транзисторный IGBT 650В 180А
У поставщика
ПроизводительSTARPOWER
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
5 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:5 шт
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3 056,34 |
| от 2 | 2 980,48 |
| от 3 | 2 907,43 |
| от 4 | 2 849,45 |
| от 5 | 2 817,53 |
Описание
Транзисторный IGBT-модуль GD150HFX65C1S от STARPOWER рассчитан на напряжение 650 В и ток 180 А. Компонент выполнен в надёжном корпусе для мощных силовых сборок. Подходит для применения в промышленной автоматике, частотных преобразователях и сварочном оборудовании.
Технические характеристики
| Тип | IGBT Module |
| Вес | 150g |
| Особенности | Low VCE(sat), 6μs short circuit capability, Positive temperature coefficient VCE(sat), Maximum junction temperature 175°C, Low inductance case, Fast and soft reverse recovery anti-parallel FWD, Isolated copper baseplate using DBC technology |
| Технология | Trench IGBT |
| Gate charge | 1.04μC |
| Тип упаковки | Module with isolated copper baseplate (DBC) |
| Конфигурация | 2 in one-package |
| Fall time 25c | 72ns |
| Тип монтажа | screw mount |
| Rise time 25c | 32ns |
| Название компонента | GD150HFX65C1S |
| Момент затяжки | 3.0-5.0 Nm |
| Вх. емкость | 17.4nF |
| Напр. изоляции | 2500V RMS |
| Темп. хранения | -40 to +125°C |
| Gate leakage current | 400nA |
| Threshold voltage ge | 5.1-6.5V |
| Diode forward current | 150A |
| Diode reverse voltage | 650V |
| Макс. рассеиваемая мощность | 437W |
| Ток КЗ | 750A |
| Module lead resistance | 0.75mΩ |
| Turn on delay time 25c | 68ns |
| Module stray inductance | 30nH |
| Turn off delay time 25c | 240ns |
| Тип упаковки | Paper Box |
| Ток отсечки коллектора | 1.0mA |
| Импульсный ток коллектора | 300A |
| Internal gate resistance | 2.0Ω |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Short circuit capability | 6μs |
| Voltage gate emitter max | ±20V |
| Diode peak forward current | 300A |
| Diode recovered charge 25c | 7.6μC |
| Terminal connection torque | 2.5-5.0 Nm |
| Turn on switching loss 25c | 0.96mJ |
| Diode forward voltage range | 1.45-1.95V |
| Saturation voltage ce range | 1.45-1.90V |
| Turn off switching loss 25c | 3.32mJ |
| Обратная проходная емкость | 0.34nF |
| Описание (англ.) | TRANSISTOR, IGBT MODULE, 650V, 180A; |
| Saturation voltage ce typical | 1.60V |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 650V |
| Рабочая температура перехода | -40 to +150°C |
| Current collector continuous 25c | 180A |
| Current collector continuous 55c | 150A |
| Diode reverse recovery energy 25c | 1.54mJ |
| Diode peak reverse recovery current 25c | 88A |
| Thermal resistance case to heatsink igbt | 0.162 K/W |
| Thermal resistance junction to case igbt | 0.343 K/W |
| Thermal resistance case to heatsink diode | 0.261 K/W |
| Thermal resistance junction to case diode | 0.553 K/W |
| Thermal resistance case to heatsink module | 0.050 K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?