Документация
GD10PJX120L1S, IGBT модуль, PIM: 3 Phase Rectifier + Brake + 3 Phase Inverter, 1200V, 10A, L1.0, зам
У поставщика
ПроизводительSTARPOWER
У поставщиков
19 шт.
Норм. уп.: 4
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:19 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4
Минимальная партия: 40 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 656,00 |
| от 4 | 1 449,00 |
| от 40 | 1 324,06 |
Технические характеристики
| Тип | IGBT Power Module PIM (3-Phase Rectifier + Brake + 3-Phase Inverter) |
| Корпус | PIM module (Isolated DBC) |
| Тип монтажа | THT |
| Gate charge | 0.08μC |
| Stray inductance | 40nH |
| Вх. емкость | 1.04nF |
| Напр. изоляции | 2500V RMS |
| Ntc b value 25 100 | 3433K |
| Ntc resistance 25c | 5kΩ |
| I2t value rectifier | 450 A²s (25°C, 10ms) |
| Темп. хранения | -40 to +125°C |
| Switching energy on | 0.77mJ (25°C), 1.15mJ (125°C), 1.33mJ (150°C) |
| Switching energy off | 0.54mJ (25°C), 0.78mJ (125°C), 0.86mJ (150°C) |
| Макс. рас. мощн. | 110W |
| Threshold voltage typ | 6.0V |
| Module lead resistance | 10mΩ |
| Saturation voltage typ | 1.75V (25°C), 2.00V (125°C), 2.05V (150°C) |
| Reverse recovery energy | 0.24mJ (25°C), 0.51mJ (125°C), 0.58mJ (150°C) |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Internal gate resistance | 0Ω |
| Pulsed collector current | 20A |
| Short circuit capability | 10μs |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Continuous collector current | 10A |
| Gate threshold voltage range | 5.2V to 6.8V |
| Обратная проходная емкость | 0.03nF |
| Max collector emitter voltage | 1200V |
| Max reverse voltage rectifier | 1600V |
| Рабочая температура перехода | -40 to +150°C |
| Surge forward current rectifier | 300A (25°C, 10ms) |
| Continuous diode forward current | 10A |
| Max junction temperature rectifier | 150°C |
| Max junction temperature inverter brake | 175°C |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 2.20V (25°C, 10A) |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 10 |