Документация
Модуль IGBT 1700В 168A GD100HFX170C1S
У поставщика
ПроизводительSTARPOWER
У поставщиков
4 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 шт
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3 935,20 |
| от 2 | 3 900,48 |
| от 3 | 3 857,94 |
| от 4 | 3 802,97 |
| от 5 | 3 725,52 |
Описание
Модуль IGBT GD100HFX170C1S от STARPOWER предназначен для мощных силовых схем. Он рассчитан на напряжение 1700 В и ток 168 А, что обеспечивает высокую коммутационную способность. Компонент применяется в промышленной автоматике, частотных преобразователях и сварочном оборудовании.
Технические характеристики
| Цоколевка | Pins 1,2,3,4,5,6,7 (see datasheet) |
| Корпус | Тип: модуль; Тип монтажа: THT; Размеры: Not specified in datasheet (see package drawing) |
| Особенности | Low VCE(sat) Trench IGBT technology, 10μs short circuit capability, VCE(sat) with positive temperature coefficient, Maximum junction temperature 175°C, Low inductance case, Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD, Isolated copper baseplate using DBC technology |
| Технология | Trench IGBT, low VCE(sat) |
| Описание | 1700V/100A 2 in one-package IGBT Power Module |
| Артикул | GD100HFX170C1S |
| Применение | Inverter for motor drive, AC and DC servo drive amplifier, Uninterruptible power supply |
| Производитель | STARPOWER |
| Circuit schematic | 2 in one-package |
| Igbt characteristics | Gate charge: 0.94μC; Switching times: Tc25: Время спада: 363ns; Время нарастания: 31ns; Время задержки включения: 187ns; Время задержки выключения: 434ns; Tc125: Время спада: 637ns; Время нарастания: 44ns; Время задержки включения: 194ns; Время задержки выключения: 503ns; Tc150: Время спада: 720ns; Время нарастания: 55ns; Время задержки включения: 202ns; Время задержки выключения: 512ns; Switching losses: Tc25: Turn on loss: 18.5mJ; Turn off loss: 20.8mJ; Tc125: Turn on loss: 30.3mJ; Turn off loss: 32.1mJ; Tc150: Turn on loss: 33.0mJ; Turn off loss: 34.8mJ; Вх. емкость: 12.0nF; Short circuit data: Условия теста: V_GE=15V, Tj=150°C, V_CC=1000V, V_CEM≤1700V; Ток КЗ: 400A; Short circuit duration: ≤10μs; Ток отсечки коллектора: 5.0mA; Internal gate resistance: 7.5Ω; Gate emitter leakage current: 400nA; Обратная проходная емкость: 0.29nF; Gate emitter threshold voltage: 5.6V to 6.8V; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: Tc25: 1.85V to 2.20V; Tc125: 2.25V; Tc150: 2.35V |
| Diode characteristics | Прямое напряжение: Tc25: 1.80V to 2.25V; Tc125: 1.90V; Tc150: 1.95V; Recovered charge: Tc25: 17.8μC; Tc125: 33.7μC; Tc150: 37.4μC; Reverse recovery energy: Tc25: 9.78mJ; Tc125: 19.4mJ; Tc150: 23.8mJ; Peak reverse recovery current: Tc25: 103A; Tc125: 107A; Tc150: 106A |
| Module characteristics | Вес: 150g; Stray inductance: 30nH; Mounting torque screw m6: 3.0 to 5.0N·m; Terminal connection torque screw m5: 2.5 to 5.0N·m; Thermal resistance case to heatsink: Per igbt: 0.160K/W; Per diode: 0.268K/W; Per module: 0.050K/W; Тепл. сопр. переход-корпус: Per igbt: 0.237K/W; Per diode: 0.397K/W; Module lead resistance terminal to chip: 0.65mΩ |
| Тип упаковки | Штучный товар |
| Предельные значения | Igbt: Gate emitter voltage: ±20V; Collector current tc25: 168A; Collector current tc100: 100A; Напряжение коллектор-эмиттер: 1700V; Pulsed collector current tp1ms: 200A; Maximum power dissipation tj175: 632W; Diode: Непрерывный прямой ток: 100A; Maximum forward current tp1ms: 200A; Повторяющееся импульсное обратное напряжение: 1700V; Module: Диап. темп. хр.: -40 to +125°C; Макс. температура перехода: 175°C; Рабочая температура перехода: -40 to +150°C; Isolation voltage rms 50hz 1min: 4000V |
| Описание (англ.) | IGBT MODULE, 1.7KV, 168A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?