Документация
GBJ5010 (50A 1000V) GBJ диодный мост BO (арт. 329290)
У поставщика
ПроизводительBO
КатегорияДиодные мосты
У поставщиков
65 шт.
Норм. уп.: 250
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:65 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 250
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 28,84 |
Описание
Диодный мост GBJ5010 от производителя BO рассчитан на прямой ток 50 А и обратное напряжение 1000 В. Выполнен в стандартном корпусе GBJ, предназначен для высоковольтного выпрямления переменного тока в промышленных блоках питания и силовых преобразователях. Обеспечивает надёжную работу в цепях с большими импульсными нагрузками.
Технические характеристики
| I²t | 600A²s |
| Тип | Bridge Rectifier |
| Vrmm | 1000V |
| Тип | диодный мост |
| Ток | 50 A |
| Маркировка | GBJ5010 |
| Корпус | GBJ |
| Особенности | Io 50A GBJ, VRRM 50V-1000V, High surge current capability, Glass passivated chip |
| Тип монтажа | THT |
| Размеры | Ширина корпуса: 10.2mm (0.402in) max; Высота корпуса: 4.8mm (0.189in) max; Длина корпуса: 30.3mm (1.193in) max; Расстояние между выводами: 7.7mm (0.303in) typical; Диаметр вывода: 0.8mm (0.031in) max |
| Артикул | GBJ5010 |
| Применение | General purpose single-phase bridge rectifier |
| Condition io | 60Hz sine wave, R-load, with heatsink, Tc=100°C |
| Корпус | GBJ |
| Монтаж | Выводной |
| Condition i2t | 1ms ≤ t < 8.3ms, Tj=25°C, rating per diode |
| Condition vfm | IFM=25.0A, pulse measurement, per diode |
| Condition ifsm | 60Hz sine wave, 1 cycle, Tj=25°C |
| Condition irrm | VRM=VRRM, pulse measurement, per diode |
| Condition rθj a | Without heatsink |
| Condition rθj c | With heatsink |
| Ifsm surge current | 500A |
| Эл. прочность | 2.5kV AC |
| Макс. момент затяжки | 8kg·cm |
| Температура хранения | -55°C to +150°C |
| Condition dielectric | Terminals to case, AC 1 minute |
| Temperature junction | -55°C to +150°C |
| Напряжение | 1000 V |
| Io avg rectified output | 50A |
| Vfm peak forward voltage | 1.0V |
| Irrm peak reverse current | 5μA |
| Mounting torque recommended | 5kg·cm |
| Thermal resistance junction to case rθj c | 0.6°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient rθj a | 20°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?