Документация
Диодный мост 25А 800В GBJ2508-F
У поставщика
ПроизводительDIODES
У поставщиков
66 шт.
Норм. уп.: 15
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт176,02 ₽
Сумма880,10 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии66 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 5 штюрлицам и ИП
от 15 — 164,71 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 880,10 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 419,90 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
5 шт · Склад 13 · 880,10 ₽
Описание
Диодный мост GBJ2508-F от DIODES рассчитан на ток 25 А и обратное напряжение 800 В. Компонент выполнен в корпусе GBJ для надежного монтажа на плату. Подходит для выпрямления переменного тока в блоках питания промышленной автоматики и силовой электроники.
Технические характеристики
| Серия | GBJ25005 - GBJ2510 |
| Вес | 6.6g |
| Корпус | GBJ |
| Упаковка | 15/Tube |
| Номинал I²t | 510 A²s |
| Размер A | 29.70-30.30mm |
| Размер B | 19.70-20.30mm |
| Размер C | 17.00-18.00mm |
| Размер d | 3.80-4.20mm |
| Размер e | 7.30-7.70mm |
| Размер G | 9.80-10.20mm |
| Размер H | 2.00-2.40mm |
| Размер I | 0.90-1.10mm |
| Размер J | 2.30-2.70mm |
| Размер K | 3.0 x 45° |
| Размер L | 4.40-4.80mm |
| Размер M | 3.40-3.80mm |
| Размер n | 3.10-3.40mm |
| Размер p | 2.50-2.90mm |
| Размер R | 0.60-0.80mm |
| Размер S | 10.80-11.20mm |
| Артикул | GBJ2508-F |
| Без галогенов | Да |
| Материал корпуса | литой пластик, UL 94V-0 |
| I2t condition | t < 8.3ms |
| Тип монтажа | THT |
| Тип компонента | Glass Passivated Bridge Rectifier |
| Соотв. RoHS | Да |
| Номер файла UL | E94661 |
| Прямое напряжение | 1.05V |
| Способ монтажа | Through Hole for #6 Screw |
| Покрытие выводов | Lead Free Plating (Tin Finish) |
| Напряжение блокировки DC | 800V |
| Макс. момент затяжки | 5.0 in-lbs |
| Ср.кв. обратное напряжение | 560V |
| Примечание | Диодный мост 25А 800В |
| Условия измерения емкости | per element, 1.0MHz, 4.0V DC reverse |
| Условие импульсного тока | 8.3мс одиночная полусинусоида |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Электрическая прочность корпуса | 2500VRMS |
| Прямое напряжение | @ IF = 12.5A per element |
| Условия обратного тока утечки | @ rated peak reverse voltage |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Типовая общая ёмкость | 85pF |
| Уровень чувствительности к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Диап. раб. темп. | -65 to +150°C |
| Обратный ток утечки при 25°C, мкА | 5µA |
| Обратный ток утечки при 125°C, мкА | 1000µA |
| Раб. имп. обратное напряжение | 800V |
| Описание (англ.) | RECT BRIDGE GPP 800V 25A GBJ |
| Имп. обратное напряжение | 800V |
| Условия среднего прямого тока | @ TC = 100°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.0 °C/W |
| Средний выпрямленный прямой ток | 25A |
| Неповтор. импульсный ток | 350A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?