+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В

Транзистор G8N80F TO-220F NPN 800V 8A 110W Goford Semiconductor (P/N G8N80F) ДатаКод - 2020 G8N80F

Артикул:1252941
У поставщика
ПроизводительGoford Semiconductor
У поставщиков
950 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 33
В наличии:950 шт.
Срок поставки: до 14 дн.
Норм. уп.: 50
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 5053,67
Описание

G8N80F от Goford Semiconductor — мощный высоковольтный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220F, рассчитанный на напряжение 800 В и ток до 8 А. Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях и схемах управления нагрузкой, где требуются высокое напряжение пробоя и низкие потери. Изолированный корпус упрощает монтаж на радиатор.

Заметили ошибку в описании или параметрах?