Документация
Диод Шоттки SiC 1200В 20А G5S12020BM
У поставщика
У поставщиков
47 шт.
Норм. уп.: 30
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт353,89 ₽
дешевле всех
Сумма707,78 ₽
В наличии3 шт
от 2 штюрлицам и ИП
Склад 13срок до недели
Цена за шт413,82 ₽
Сумма827,64 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии44 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 2 штюрлицам и ИП
от 6 — 390,59 ₽ (−6%)
2 шт · Склад 39 · 707,78 ₽
Описание
Диод Шоттки на карбиде кремния G5S12020BM от GPT. Выдерживает напряжение до 1200 В и ток до 20 А, выпускается в корпусе TO-247AB. Благодаря высокой эффективности и низким потерям подходит для импульсных блоков питания и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode |
| Корпус | TO-247AB |
| Технология | SiC Schottky |
| Артикул | G5S12020BM |
| Без галогенов | Да |
| Тип монтажа | монтаж в отверстие (THT) |
| Соотв. RoHS | Да |
| Reach qualified | Да |
| Напряжение блокировки DC | 1200V |
| Примечание | Шоттки SIC 1200В 20А |
| Total capacitance at 0v | 825 pF typ, 830 pF max |
| Total capacitive charge | 53.9 nC typ (at VR=800V) |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Mounting torque m3 screw | 1 Nm |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 153W (per leg) |
| Power dissipation at 110c | 66W (per leg) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Total capacitance at 400v | 50 pF typ, 55 pF max |
| Total capacitance at 800v | 40 pF typ, 45 pF max |
| Forward voltage at 10a 25c | 1.4V typ, 1.7V max |
| Mounting torque 6 32 screw | 8.8 lbf-in |
| Пиковое обратное импульсное напряжение | 1200V |
| Forward voltage at 10a 175c | 1.9V typ, 2.3V max |
| Reverse current at 1200v 25c | 4.5 µA typ, 30 µA max |
| Описание (англ.) | 1200V/20A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes |
| Reverse current at 1200v 175c | 23 µA typ, 60 µA max |
| Повторяющийся пиковый прямой ток | 50A (per leg, tp=10ms, D=0.3) |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1200V |
| Rated continuous forward current | 20A |
| Continuous forward current at 25c | 33A (per leg) |
| Continuous forward current at 125c | 18A (per leg) |
| Continuous forward current at 155c | 10A (per leg) |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 175°C |
| Неповтор. импульсный ток | 142A (per leg, tp=10ms half sine) |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, на вывод | 0.98 °C/W (typ) |
| Thermal resistance junction to case per device | 0.5 °C/W (typ) |
| Обратное напряжение, В | 1200 |
| Прямой ток, А | 20 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?