G5S12015A
У поставщика
У поставщиков
3 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:3 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 317,69 |
| от 13 | 303,72 |
| от 22 | 296,15 |
| от 37 | 290,05 |
| от 62 | 284,43 |
Описание
GPT G5S12015A — это силовой MOSFET-транзистор, предназначенный для высокоэффективных импульсных источников питания и преобразователей. Компонент отличается низким сопротивлением открытого канала и быстрым переключением, что снижает потери энергии. Применяется в DC-DC преобразователях, цепях управления двигателями и системах бесперебойного питания.
Технические характеристики
| Тип | SiC диод Шоттки |
| Ток, А | 15 А |
| Монтаж | SMD |
| Напряжение, В | 1200 В |
Заметили ошибку в описании или параметрах?