Документация
Диод Шоттки SiC 1200В 15A G5S12010C
У поставщика
ПроизводительGPT
У поставщиков
3 130 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 130 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 151,86 |
| от 50 | 143,57 |
| от 100 | 138,01 |
| от 200 | 133,12 |
| от 399 | 129,82 |
Описание
Диод Шоттки SiC G5S12010C от GPT — мощный силовой компонент на карбиде кремния. Рассчитан на обратное напряжение 1200 В и прямой ток 10 А, выпускается в компактном корпусе DPAK/TO-252AA. Применяется в импульсных источниках питания и силовой электронике для повышения эффективности преобразования энергии.
Технические характеристики
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Примечание | Шоттки SIC 1200В 10А |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode |
Заметили ошибку в описании или параметрах?