+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
G5S12010BM
Документация

Диод Шоттки х2 SiC 5A 1200В TO-247AB

Артикул:869696
У поставщика
ПроизводительGPT
У поставщиков
341 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:341 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1175,33
от 5172,45
от 9168,59
от 18162,82
от 30153,88
Описание

Диод Шоттки сдвоенный на карбиде кремния (SiC) от GPT. Рассчитан на ток 5 А и обратное напряжение 1200 В, выпускается в корпусе TO-247. Подходит для силовой электроники, импульсных блоков питания и преобразователей с высокими требованиями к эффективности.

Технические характеристики
Тип монтажаTHT
ТехнологияSilicon Carbide Schottky
АртикулG5S12010BM
Без галогеновДа
Тип упаковкиTO-247AB
Ppap supportДа
КорпусTO-247
Конфигурацияdual diode (common cathode)
Соотв. RoHSДа
Reach qualifiedДа
Mounting torque m31Nm
Напряжение блокировки DC1200V
Mounting torque 6 328.8 lbf·in
Total capacitance 0v424pF
ПримечаниеШоттки х2 SiC 1200В 5A
Total capacitance 400v26.8pF
Total capacitance 800v22.06pF
Forward voltage max 25c1.7V
Forward voltage typ 25c1.36V
Reverse current max 25c50µA
Reverse current typ 25c1.9µA
Макс. темп. хр.175°C
Мин. темп. хр.-55°C
Total capacitive charge28.7nC
Тип упаковкиTube (туба)
Forward voltage max 175c2.5V
Forward voltage typ 175c1.81V
High frequency operationДа
Макс. темп. перехода175°C
Темп. перехода мин.-55°C
Reverse current max 175c100µA
Reverse current typ 175c16µA
High temperature operationДа
Surge peak reverse voltage1200V
Описание (англ.)SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 3-P
Power dissipation per leg 25c93W
Zero forward recovery voltageДа
Zero reverse recovery currentДа
Power dissipation per leg 110c40W
Повторяющееся импульсное обратное напряжение1200V
Temperature independent switchingДа
Continuous forward current total 158c10A
Continuous forward current per leg 25c19.35A
Continuous forward current per leg 125c10.5A
Continuous forward current per leg 158c5A
Repetitive peak forward current per leg30A
Thermal resistance junction to case per leg1.61°C/W
Thermal resistance junction to case per device0.805°C/W
Non repetitive peak forward surge current per leg78A

Заметили ошибку в описании или параметрах?